The effects of neutron irradiation on the oxygen precipitation in Czochralski-silicon，成果详细信息-中国科技论文在线

李养贤

35浏览
0点赞
0收藏
0分享
74下载
0评论
引用

期刊论文

The effects of neutron irradiation on the oxygen precipitation in Czochralski-silicon

李养贤， Y.X. Li a ， * ， H.Y. Guo a ， B.D. Liu a ， T.J. Liu a ， Q.Y. Hao a ， C.C. Liu a ， D.R. Yang b ， D.L. Que b

Journal of Crystal Growth 253(2003)6-9，-0001，（）：

URL:

摘要/描述

y dose of neutron irradiation accelerated the oxygen precipitation in CZ-Si under higher annealing temperature (1070-1130℃). We attribute this effect to the form of defect cluster induced by neutron irradiation, it may be as the core for the oxygen precipitation heterogeneous nuclei and those shorten the nucleation time and accelerate oxygen precipitates in the bulk of Si wafer. In addition, the oxygen diffusion is enhanced by the presence of a large quantity of vacancies near the surface of the wafer.

关键词: A1 ， Defects; A1 ， Point defects; A1 ， Radiation; B2 ， Semiconducting silicon

问答

暂无问题，成为第一个提问者

我要提问全部问题

【免责声明】以下全部内容由[李养贤]上传于[2009年07月14日 13时41分43秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。

我要评论

全部评论 共 0 条

本学者其他成果

同领域成果