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李言荣

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期刊论文

通过ZnO缓冲层的引入改善LiNbO3/AlGaN/GaN晶体管的电学性质

李言荣

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版权说明:以下全部内容由李言荣上传于   2016年05月16日 10时23分36秒,版权归本人所有。

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