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李肈基
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期刊论文
SOI基双级RESURF二维解析模型
半导体学报第26卷第4期2005年4月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 26, No. 4, Apr. , 2005，-0001，（）：
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型. 基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR, doping optimal region),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构. 根据此模型,对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究,并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真. 以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOI LDMOS.解析解、数值解和实验结果吻合得较好.
【免责声明】以下全部内容由[李肈基]上传于[2007年09月20日 14时01分33秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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