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李肈基
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期刊论文
均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型
半导体学报第26卷第2期2005年2月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 26, No. 2, Feb. , 2005，-0001，（）：
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI 高压器件的统一击穿模型. 基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式. 借此模型并对阶梯数从0到无穷时器件结构参数对临界电场和击穿电压的影响进行了深入研究. 从理论上揭示了在厚膜SOI器件中用阶梯掺杂取代线性漂移区,不但可以保持较高的耐压,而且降低了设计和工艺难度. 解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果符合良好.
【免责声明】以下全部内容由[李肈基]上传于[2007年09月20日 14时02分07秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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