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陆海
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期刊论文
Enhanced bias stress stability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors by inserting ultra-thin InGaZnO：N layer at the channel_gate insulator interface
，-0001，（）：
摘要/描述
关键词:
【免责声明】以下全部内容由[陆海]上传于[2015年03月05日 10时46分57秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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