GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 μm GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy，成果详细信息-中国科技论文在线

牛智川

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期刊论文

GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 μm GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy

牛智川， Z. C. Niu ， S. Y. Zhang ， H. Q. Ni ， D. H. Wu ， H. Zhao ， H. L. Peng ， Y. Q. Xu ， S. Y. Li ， Z. H. He ， Z. W. Ren ， Q. Han ， X. H. Yang ， Y. Du ， R. H. Wu

APPLIED PHYSICS LETTERS 87, 231121(2005)，-0001，（）：

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摘要/描述

Starting from the growth of high-quality 1.3 μm GaInNAs/GaAs quantum well (QW), the QW emission wavelength has been extended up to 1.55 μm by a combination of lowering growth rate, using GaNAs barriers and incorporating some amount of Sb. The photoluminescence properties of 1.5 μm range GaInNAsSb/GaNAs QWs are quite comparable to the 1.3 μm QWs, revealing positive effect of Sb on improving the optical quality of the QWs. A 1.59 μm lasing of a GaInNAsSb/GaNAs single-QW laser diode is obtained under continuous current injection at room temperature. The threshold current density is 2.6 kA/cm2 with as-cleaved facet mirrors.

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版权说明：以下全部内容由牛智川上传于 2007年09月29日 09时26分53秒，版权归本人所有。

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