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阮永丰

期刊论文

中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析

阮永丰 侯贝贝李连钢王鹏飞陈敬黄丽

硅酸盐学报,第42卷第3期,2014年3月,-0001,():

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摘要/描述

利用透射电子显微镜、紫外-可见-近红外光谱以及拉曼光谱,对经受了剂量为1.67×1020 n/cm2的中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,乌尔巴赫能量变大,且在1178nm,1410nm,1710nm处出现新的吸收峰。1178nm峰和1410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的弗兰克尔对、间隙原子和VC消失;高于800℃退火时,VSi逐渐消亡,或转化为更稳定的复杂缺陷团。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的“类铍原子模型”。

    版权说明:以下全部内容由阮永丰上传于   2017年03月25日 14时05分03秒,版权归本人所有。

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