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时龙兴
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期刊论文
高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析*
固体电子学研究与进展，2005，25（1）：020～107，-0001，（）：
摘要/描述
提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式，指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响，得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性。
【免责声明】以下全部内容由[时龙兴]上传于[2009年01月21日 17时24分22秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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