Highly oriented growth of n-type ZnO films on p-type single crystalline diamond films and fabrication of high-quality transparent ZnO/diamond heterojunction，成果详细信息-中国科技论文在线

王成新

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期刊论文

Highly oriented growth of n-type ZnO films on p-type single crystalline diamond films and fabrication of high-quality transparent ZnO/diamond heterojunction

王成新， C.X. Wang a ， G.W. Yang a ， * ， C.X. Gao b ， H.W. Liu b ， Y.H. Han b ， J.F. Luo b ， G.T. Zou b

Carbon 42 (2004) 317-321，-0001，（）：

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摘要/描述

We present the results on the fabrication and characterization of high-quality transparent heterojunction between n-type ZnO film and p-type diamond single crystalline film on the substrate of diamond bulk single crystal. The results indicated that the current density of the fabricated p-n junction reaches 110 A/m2 when the forward bias voltage is 2.5 V, and the turn-on voltage value is about 0.75 V and agreement with the expected value. Moreover, a good rectification characteristic and transparent in the visible light range was obtained in the device.

关键词: A ， Diamond; B ， Chemical vapor deposition; C ， Scanning electron microscopy, X-ray diffraction; D ， Electrical properties

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