提示
汪辉
-
39浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
298下载
-
0评论
-
引用
期刊论文
亚65nm及以下节点的光刻技术
半导体技术，2007，32（11）：921～925，-0001，（）：
摘要/描述
由于193nm浸入式光刻技术的迅速发展，它被业界广泛认为是65nm和45nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术，193nm浸入式光刻技术还可能扩展到32nm节点，但是光刻成本会成倍增长，成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备，人们纷纷看好EUV技术应用到32nm及以下节点，但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22nm节点，电子束直写是最可行，成本最低的候选方案，业界将在它与EUV技术之间做出抉择。
【免责声明】以下全部内容由[汪辉]上传于[2010年03月10日 10时56分15秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
我要评论
全部评论
共 0 条
本学者其他成果
同领域成果
