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王术

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期刊论文

Quasineutral limit of a standard drift diflusion model for semiconductors

王术XIAO Ling (Hsiao Ling肖玲) Peter A. Markowich & WANG Shu (王术)

SCIENCE IN CHINA (Senes A) 45, 1,-0001,():

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摘要/描述

The limit of vanishing Debye length (charge neutral limit) in a nonlinear bipolar driftdiffusion model for semiconductors without pn-junction (i.e. without a bipolar background charge) is studled. The quasineutral limit (zero-Debye-length limit) is performed rigorously by using the weak compactness argument and the so-called entropy functional which yields appropriate unifOrm estimates.

版权说明:以下全部内容由王术上传于   2005年03月29日 17时53分05秒,版权归本人所有。

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