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温志渝
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引用
期刊论文
真空微电子触觉传感器场致发射阵列的研究*
重庆大学学报（自然科学版），1998，21（4）：12～16，-0001，（）：
摘要/描述
阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺，在电阻率为3～5 Ω·cm 的n 型（100）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列，锥尖密度达3900个/mm2，起始发射电压为2～3V，反向击穿电压大于30V，收集极在20V在电压时，单尖发射电流达0.2μA，实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。
【免责声明】以下全部内容由[温志渝 ]上传于[2005年03月08日 00时15分01秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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