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徐章程

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期刊论文

Effect of annealing on the structure and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots

徐章程， Z.C. Xua ， * ， K. Leossona ， D. Birkedala ， J.M. Hvama ， J. Sadowskib ， Z.Y. Zhaoc ， X.S. Chend ， Y.M. Liuc ， K.T. Yangc

Journal of Crystal Growth 251(2003)177-180，-0001，（）：

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摘要/描述

The change of phonon energies of annealed InGaAs/GaAs quantum dots (QDs), was observed using selectively excited photoluminescence. X-ray diffraction and optical anisotropy analysis shows that the QDs' structure mainly changes along the growth direction.

关键词: A1 ， Nanostructures; A1 ， X-ray diffraction; A3 ， Molecular beam epitaxy; A3 ， Semiconducting III-V materials

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