亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱*，成果详细信息-中国科技论文在线

徐章程

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期刊论文

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱*

徐章程，徐章程))† ，贾国治) ，孙亮) ，江宏) ，许京军) ， J. M. Hva) ，王占国))

物理学报，2005，54（11）：5367～5371，-0001，（）：

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摘要/描述

测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点一量子阱异质结构在5K下的时司分辨光致发光谱亚单层量子点的辐射寿命在500ps至800ps之司，随量子点尺寸的增大而增大，与量子点中激子的较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关光致发光上升时司强烈依赖于激发强度密度在弱激发强度密度下，上升时司为35ps纵光学声子发射为主要的载流子俘获机理在强激发强度密度下，上升时司随激发强度密度的增加而减小，俄歇过程为主要的载流子俘获机理该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用。

关键词: 亚单层，量子点一量子阱，时间分辨光致发光谱

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