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期刊论文
纳米Cu3 N薄膜的制备与性能*
物理学报,2005,54(4):1687~1692,-0001,():
采用柱状靶多弧直流磁控溅射法,100℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜。用X射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响。结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成,其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构。通过原子力显微镜对薄膜表征显示,膜表面比较光滑,具有较低的粗糙度。X射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明,Cu3N薄膜表面铜元素同时以+1价和+2价存在。Cu3N的Cu2p3P2,Cu2p1P2及N1s峰分别位于93217,95217和39919eV,Cu2p原子自旋2轨道耦合裂分能量间距为20eV。用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率,薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制。
【免责声明】以下全部内容由[闫鹏勋]上传于[2005年07月18日 23时58分42秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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