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叶玉堂
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期刊论文
InP 基片在连续波CO2 激光局域加热时的温度上升特性
半导体学报第25卷第8期2004年8月/CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol. 25 No. 8 Aug. 2004，-0001，（）：
摘要/描述
采用聚焦连续波CO2 激光束对n 型InP 基片进行局域加热, 并利用专用的温度测量系统对InP 基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量. 结果表明, 在基片初始温度为室温时, 难以得到满足加工所要求的温度上升. 增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求, 但温度的稳定性较差. 采用研制的温度控制系统, 可方便地得到满足激光微细加工要求的稳定温度上升.
【免责声明】以下全部内容由[叶玉堂]上传于[2007年09月27日 16时17分12秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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