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叶玉堂
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期刊论文
5Gb/s 单片集成GaAs MSM/ PHEMT 850nm 光接收机前端
半导体学报第28卷第4期2007年4月/CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol. 28 No. 4 Apr. , 2007，-0001，（）：
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端, 它包括金属-半导体-金属(MSM) 光探测器和分布放大器. 探测器光敏面积为50μm ×50μm ,电容为0.17pF,4V 偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器- 3dB带宽接近20GHz ,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz 范围内,输入、输出电压驻波比均小于2 ;噪声系数在3.03～6.5dB之间. 光接收机前端在输入2.5和5Gb/s 非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.
【免责声明】以下全部内容由[叶玉堂]上传于[2007年09月27日 16时18分04秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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