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于威
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期刊论文
碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究*
物理学报，2004，53（6）：1930～1934，-0001，（）：
摘要/描述
采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅（a-SiC）薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究。通过原子力显微镜（AFM） 和Raman 光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析。结果表明，选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a-SiC薄膜的纳米晶化。退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大；Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象。根据以上结果并结合激光退火特性，对a-SiC的脉冲激光晶化机理进行了讨论。
【免责声明】以下全部内容由[于威]上传于[2009年07月10日 16时09分29秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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