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张德贤
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期刊论文
a-Si太阳电池p层微晶结构的研究
电源技术，2003，27（5）：450～461，-0001，（）：
用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n（H2）/N（SiH4）=100, n（H2）/n（SiH4）=10]作为气相反应行驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出渗硼的非晶氢化奎宁薄膜。通过拉曼光谱、激活能测度、暗电导测试表明，高氢气稀释浓度的硅烷在一定的渗杂比时[n（B2H6）/n（SiH4）=1%]，沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构，暗电导率可达10-1Ω-1•cm-1，激活能可达0.2eV左右，接着又用uC-Si:H与传统所有的a-SiC: H分别做电池的p层，比较了二者的I-V特征，发现uC-Si:H作为电池的p层有更大的优越性。
【免责声明】以下全部内容由[张德贤]上传于[2010年01月04日 19时53分46秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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