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期刊论文
硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响**
光电子•激光,2003,14(11):1146~1148,-0001,():
对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a-Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明:当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时,a-Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω•cm)-1急剧增加到10-1(Ω•cm)-1;进一步增加B2H6/SiH4时,暗电导率增加缓慢;当B2H6/SiH4大于1.0%时,暗电导率急剧下降。对B2H6/SiH4为1.0%及1.2%的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明:采用B2H6/SiH4为1.2%的光电转换效率优于1.0%。
【免责声明】以下全部内容由[张德贤]上传于[2010年01月04日 19时52分58秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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