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张德贤
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期刊论文
P型微晶硅薄膜材料性能的研究
人工晶体学报，2006，35（5）927～938，-0001，（）：
摘要/描述
本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（SC）的变化。采用x射线衍射仪（xRD），拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪（FTIR）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率（σa）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2.0%时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1.5%时，硼的掺杂效率最大，同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。
【免责声明】以下全部内容由[张德贤]上传于[2010年01月04日 19时53分27秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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