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期刊论文
降低VCSELs激射阈值途径的理论研究*
光电子激光,13(12):1211~1214,-0001,():
针对量子阱有源层的结构特点, 考虑增益和载流子浓度呈对数关系, 建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值电流密度的解析表达式。运用MA TLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真, 研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径:有源层选用量子阱实现微腔结构;腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R;改进外延生长技术以降低各种损耗。
【免责声明】以下全部内容由[张晓霞]上传于[2009年05月18日 14时30分57秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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