-
68浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
90下载
-
0评论
-
引用
期刊论文
6H-SiCMOS场效应晶体管的研制*
固体电子学研究与进展,2000,20(1):1~6,-0001,():
报道了多晶硅栅6H2SiCMOS场效应器件的制造工艺和器件性能。6H2SiC氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中,多余的C以CO的形式释放,铝元素逸出极少,氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大,SiC的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性,最大跨导为0.36mS/mm,沟道电子迁移率约为14cm2/V.s,但串联电阻效应明显。
【免责声明】以下全部内容由[张玉明]上传于[2009年06月22日 14时44分45秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
本学者其他成果
同领域成果