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张玉明

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期刊论文

SiC肖特基势垒二极管的研制

张玉明张义门罗晋生

半导体学报,1999,20(11):1040~1043,-0001,():

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摘要/描述

本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂(P t)做肖特基接触在n型6H2SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析,I2V特性测量说明Pt/6H2SiC肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为1123,肖特基势垒高度为1103eV,开启电压约为015V。

关键词:

版权说明:以下全部内容由张玉明上传于   2009年06月22日 14时45分17秒,版权归本人所有。

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