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江安全

目前主要从事的科学研究课题主要有铁电薄膜存储器件(FRAMs)，相变存储器件（PCRAMs），电阻存储器件(RRAM)，热释电器件，铁电场效应管，薄膜高k材料等。

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姓名：江安全
目前身份：
担任导师情况：
学位：
学术头衔：

博士生导师， “973”、“863”首席科学家，教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者
职称：-
学科领域：

半导体技术
研究兴趣：目前主要从事的科学研究课题主要有铁电薄膜存储器件(FRAMs)，相变存储器件（PCRAMs），电阻存储器件(RRAM)，热释电器件，铁电场效应管，薄膜高k材料等。

个人简介

江安全，研究员，1969年生。1999年毕业于中国科学院固体物理研究所，获得博士学位，从事Bi层化合物纳米颗粒的制备和陶瓷烧结以及尺寸效应等对铁电和介电性能影响方面的研究；之后，在中国科学院物理研究所光物理实验室从事博士后研究，研究用脉冲激光沉积法制备出高质量Bi系列的铁电和介电复合薄膜；2001年, 在剑桥大学地球科学系和Prof. J. F. Scott合作从事铁电薄膜的极化机理等方面基础理论工作; 2003年，在剑桥大学工程系和Epson公司合作从事铁电薄膜电性能测试和存储器电路设计等方面的工作; 2006年在复旦大学微电子学系从事电介质材料和铁电薄膜器件的集成和性能的研究等。是2007年ISIF国际会议顾问委员会委员。目前主要从事的科学研究课题主要有铁电薄膜存储器件(FRAMs)，相变存储器件（PCRAMs），电阻存储器件(RRAM)，热释电器件，铁电场效应管，薄膜高k材料等。研究成果包括铁电纳米颗粒制备，电畴极化翻转理论，介电驰豫理论，电畴疲劳机理，快速印刻效应的测量方法和铁电表面钝化层电容的测试方法等。发表在Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.和Phys. Rev. B上被SCI收录的文章有30多篇，引用次数达200多次。参与了美国的物理学会和中国物理学会主办多家杂志的审稿工作。2006年教育部新世纪优秀人才支持计划的获得者。主持或参加上海市登山行动计划，自然科学基金项目，上海市浦江人才计划，973项目等。