康晋锋 北京大学信息科学技术学院微电子学系教授，博士生导师。1984年毕业于大连工学院物理系获理学学士； 1992和1995年在北京大学计算机系，分别获得半导体物理与器件专业理学硕士和理学博士学位。1984年至1989年在山西省分析测试中心任助理工程师；1996年至1997年，在北京大学微电子所从事博士后研究工作；1997开始在北京大学微电子所任副教授；2001年8月开始任教授。2002年至2003年以访问教授（Visiting Professor）身份受新加坡国立大学邀请开展合作研究一年。
　　作为主要研究人员和课题负责人先后承担完成了国家九五科技攻关项目、国防科技预研项目、高等学校骨干教师资助计划、教育部科学技术研究重点项目等国家级和省部级科研项目课题。目前，作为课题负责人分别承担着863计划重大专项课题“0.09微米CMOS集成电路大生产工艺与可制造性”、国家973项目课题“新型栅结构材料研究”、国家自然科学基金项目“高K/金属栅CMOS器件性能退化机理研究”等任务。
　　分别在新型高K栅介质/金属栅材料与CMOS器件集成技术研究；ULSI器件模型、结构和集成工艺技术；介质材料薄膜外延生长技术；超导薄膜技术和应用；新型铁电/铁磁存储器技术等方面取得了一系列创新性的研究成果。
　　已合作出版译著一部，在国内外核心刊物和重要学术会议发表论文100余篇，其中39篇被SCI收录，多篇论文被国际同行多次引用。
　　目前主要的研究领域包括：高K栅介质/金属栅材料与CMOS器件集成技术；超深亚微米器件模型、结构和集成技术（包括应力Ge-和Si-MOSFET）；ULSI互连集成技术；新型存储器(FeRAM/MRAM)技术；自旋电子学材料、器件、工艺技术等。