您当前所在位置: 首页 > 学者
在线提示

恭喜!关注成功

在线提示

确认取消关注该学者?

徐静平

     

  

微电子器件、物理、工艺以及集成技术方面

个性化签名

TA的关注(0) 关注TA的(0)
留言板

该学者已关闭了留言功能

暂无留言

  • 张卫

    复旦大学

    从事集成电路工艺、半导体材料和器件的研究。

  • 马义德

    兰州大学

    信息传输与处理、计算机应用、数字图像处理技术、生物医学工程等

  • 张庆灵

    东北大学

    主要从事于微分代数系统的结构性质及其相关控制问题的研究。

  • 吴振强

    陕西师范大学

    网络安全与信息隐藏。

  • 刘兴钊

    电子科技大学

    BST铁电薄膜、半导体SiC外延薄膜、半导体低维结构等

  • 孙正兴

    南京大学

    多媒体计算、计算机视觉和智能人机交互等,重点研究面向普适计算的智能视觉环境及其交互技术

  • 张波

    电子科技大学

    长期从事功率半导体技术、电源管理IC及专用IC的教学、科研和人才培养。

  • 朱义胜

    大连海事大学

    通信与电路方面的教学和研究

  • 姓名:徐静平
  • 目前身份:
  • 担任导师情况:
  • 学位:
  • 学术头衔:

    博士生导师

  • 职称:-
  • 学科领域:

    微电子学

  • 研究兴趣:微电子器件、物理、工艺以及集成技术方面
个人简介

一九八二年一月毕业于华中理工大学固体电子学系半导体物理与器件专业。八四年获该专业工学硕士学位,并留校任教。一九九三年获电子材料与元件专业工学博士学位,九五年十二月至九九年六月在香港大学电机电子工程系做博士后研究工作。近几年来(2000-2004),作为高级访问学者每年赴香港大学从事3-4个月的合作研究。九四年晋升为副教授,二000年二月晋升为教授,二00二年六月被评聘为博士生导师。自一九八四年以来,一直从事微电子器件、物理、工艺以及集成技术方面的教学与研究工作。目前,作为负责人主持国家自然科学基金项目两项,完成教育部骨干教师基金一项、湖北省自然科学基金两项以及国际合作项目三项。自九五年以来,在VLSI先进的薄栅介质制备技术、Si及SiC MOS器件界面物理和界面特性、CMOS设计及制备工艺、MOS器件物理、可靠性及电特性模拟以及传感器件等方面取得了一系列创造性的研究成果,在国际上率先提出了在SiC晶片表面采用N2O或NO直接热生长氧化物以及采用NH3进行表面钝化处理的先进技术,获得了SiC/SiO2界面质量和可靠性的极大改进,有关成果在IEEE EDL上发表,多次被同行专家引用;国际上首次采用NO低温快速氧化方法制备MISiC传感器超薄(1-2 nm)绝缘层的新技术,获得了高灵敏度高可靠性的MISiC Schottky二极管气体传感器,有关成果在IEEE EDL上发表。迄今为此,在国际国内重要期刊杂志及国际重要学术会议上发表学术论文80余篇,其中国际期刊近40篇,被SCI收录30余篇,EI收录20余篇。

  • 主页访问

    3403

  • 关注数

    0

  • 成果阅读

    218

  • 成果数

    10

TA的成果