孟庆元
计算力学、复合材料微观断裂力学、分子动力学、计算机分子模拟和分子设计研究
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- 姓名:孟庆元
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学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
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学科领域:
水文学
- 研究兴趣:计算力学、复合材料微观断裂力学、分子动力学、计算机分子模拟和分子设计研究
孟庆元,1970年毕业于哈尔滨军事工程学院,1980-1984年公派赴英国留学,获曼彻斯特大学(University of Manchester)应用力学博士学位。1991-1993年在美国加州大学圣巴巴拉分校(University of California at Santa Barbara)作高级访问学者,后被凯斯西保留地大学(Case Western Reserve University)聘为副研究员,主要从事人工智能材料的机电耦合效应研究工作。现为哈尔滨工业大学,航天学院,航天科学与力学系教授,博士生导师;哈尔滨工业大学学报(英文版)主编;2002年度评为中国力学学会力学优秀教师。主要研究成果包括压电传感器件的机电耦合解析解,压电材料边界元方程的奇异解,非线性铁电极化材料的有限元算法以及在材料尺寸效应微观机理方面的研究工作。在国内外学术期刊及国际会议上发表论文50余篇。有些理论成果已用于微电子器件的研制和生产中。近年来,主要从事计算力学、复合材料微观断裂力学、分子动力学、计算机分子模拟和分子设计研究课题。基于物质的第一性原理、分子动力学和蒙特卡罗等方法,采用计算机并行算法模拟材料的物理、化学和力学行为,诸如位错与晶体形变、缺陷与断裂演化、薄膜与外延生长、扩散与相变、高分子构象与聚合物构型等。开展从原子尺度开始的跨物质多时空层次的理论和计算方法的研究。该研究领域属于交叉性新兴学科,在新材料、纳米技术、超高速撞击、微机电器件、生物学及信息学等领域具有广阔的应用前景。
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孟庆元, Lijun Yang, Qingyuan Meng, Gen Li, Chengxiang Li
,-0001,():
-1年11月30日
The Molecular Dynamics Simulation of epitaxial process of Si1-xGex/Si(100) was carried out by utilizing the Stillinger-Weber potential and Gear algorithm. The thermal dynamic effects due to different Ge content x were investigated. The relationship between the critical layer thickness and Ge contentx was obtained. It is also found that the diffusion ability of surface Ge atoms increases gradually as the epitaxial layer grows. The variation tendency of the simulation results are in accordance with the theoretical and experimental results of Bean[1].
Molecular dynamics simulation,, epitaxy,, critical layer thickness,, Si1-xGex
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孟庆元, 李成祥, 杨立军
,-0001,():
-1年11月30日
采用Embedded-Atom Method(EAM)作用势函数,利用分子动力学方法模拟了冷却速度和压力对液态Au 凝固过程的影响。结果表明在相同压力下,冷却速度快时,形成非晶体;冷却速度慢时,形成晶体,冷却速度越慢,结晶温度越高,结晶进行得越充分,得到的结构越稳定。在同一冷却速度下,压力对晶体的结晶温度影响较大,压力越大,结晶温度越高,但结晶过程所用的时间不受压力影响。数值算例给出了不同冷却速度下的热力学及分子动力学过程。最后用固液两层构型的方法模拟了Au 的晶体生长过程。
分子动力学模拟,, EAM势函数,, 相变热力学,, 相变动力学,, 晶体生长
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