孙甲明，1991毕业于吉林大学物理系。1998年七月毕业于中科院长春物理所获博士学位。 1998年8月－2000年8月在中国科学院物理研究所做博士后。 2000年9月－2001年9月获得日本科技兴业集团（JST）奖学金资助在日本东京大学工学部电子工程系做博士后研究工作。 2001－2006年在德国Rossendof研究中心离子束物理和材料研究所工作。2006年10月以来被聘为南开大学物理学院教授，博士生导师。2007年入选教育部新世纪优秀人才计划。

工作经历
　　1991年到1998年间从事电子束蒸发、磁控溅射等多种真空发光薄膜沉积和平板显示件技术的研究，曾研制出国内首个640×480 VGA ZnS:Mn薄膜电致发光计算机显示屏，同时开始研究多孔硅、含硅纳米微晶的SiO2和SiNx薄膜、Si/SiO2、Si/SiNx非晶态超晶格等多种硅基纳米结构薄膜器件的交流电致发光。
　　1998年8月－2001年9月年间主要从事III-V族半导体的高真空分子束外延技术以及半导体微腔半导体光折变器件、电光调制器件、激光器以及稀磁半导体材料的研究工作。
　　2001年9月至今主要从事硅材料电注入发光照明器件和光子集成的研究工作。

科研成果
　　实现高效率的硅基发光对于发展集成光电子芯片具有十分重要的意义。从1991年开始从事多孔硅、Si/SiO2超晶格等各种硅纳米结构电致发光的研究。近年来研制出高效率的硅基MOS结构电致发光器件，其中红外、可见光和紫外区的硅MOS电致发光器件的最高量子效率分别达到14%、16%和5%以上，接近同波段的III-V族LED，在国际上首次研制出硅材料紫外电致发光器件和红/蓝可变色的电致发光器件。此外提出了利用掺杂硼离子注入改变缺陷处的局部掺杂浓度来改变硅的局部能带结构，将硅pn结发光二极管的量子效率提高了三个量级，达到0.15 %以上。
　在德国工作期间由于在硅基发光器件方面的突出成绩，荣获2004年度德国国家级研究机构Rossendorf研究中心的先进科研奖励。研制出的高效率的硅MOS彩色电致发光显示器件曾代表德国Rossendorf研究中心多次参加慕尼黑国际工程产品世界专业展等国际高科技展览会。2004年10月1日国际著名的媒体《Laser Focus World》发表了题为《Silicon UV light emitters are fabricated via CMOS》的文章专题介绍了申请人研制的世界首个SiO2:Gd硅基材料紫外发光器件。2007年5月27日国际著名的《Science Daily》刊登了题为《Switchable Two-color Light Source On A Silicon Chip》的文章，专题介绍了申请人主持研制的由红到蓝可变色的SiO2:Eu发光器件。
　　目前在国际内外核心期刊发表论文70余篇，被SCI他引100多次。申请德国专利2项。目前承担国家自然科学基金、973项目和教育部新世纪人才项目等多项国家课题，教育部留学回国人员基金等多项课题。