朱国栋
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- 姓名:朱国栋
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学科领域:
微电子学
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朱国栋(1978-),男,副教授。理学博士。现为复旦大学材料科学系副教授。相关研究领域包括表面科学、纳米电子学和高分子功能材料等。
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朱国栋, 罗晓雅
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-1年11月30日
铁电薄膜中的印记效应会引起铁电存储器的读写错误。本文制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/二氟乙烯与三氟乙烯共聚物[P(VDF-TrFE)]复合材料,研究不同PMMA混合比的铁电薄膜受印记效应的影响程度。实验结果表明:PMMA的添加无助于改善铁电薄膜中的印记效应,最后,我们对实验中的若干现象进行了讨论。
印记效应, 铁电材料, 复合材料
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【期刊论文】Imaging of local vibratory and non-vibratory domains in ferroelectric P(VDF-TrFE) films
朱国栋
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【期刊论文】Electric field dependence of topography in ferroelectric P(VDF-TrFE) films
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【期刊论文】The Study of Local Dual-Peak Vibratory Properties in Ferroelectric P(VDF-TrFE) Films
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【期刊论文】Piezoelectricity in β-phase PVDF crystals-A molecular simulation study
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