张国义
一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。
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- 姓名:张国义
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
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学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
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学科领域:
凝聚态物理学
- 研究兴趣:一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。
张国义,理学博士,北京大学物理学院教授,博士生导师,北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任,中国物理学会发光分会理事;中国电子学会办半导体与集成技术分会委员会委员;《半导体学报》,《发光学报》,《液晶和显示》编委。长期从事半导体物理与器件物理,半导体光电子学,MOCVD生长技术的研究。自1993年至今,一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。申请国家发明专利20多项,发表论文100多篇。作为会议主席,在1998年和2001年两次在中国主持召开了国际III-V氮化物半导体专题研讨会,多次作为(氮化物半导体相关的)重大国际会议委员会委员,参加国际学术交流。作为第一发明人,曾获得国家发明四等奖,国家教委科技进步二等奖等奖励。先后在美国,日本,澳大利亚,比利时开展合作研究。“九五”期间,作为国家“863”计划信息光电子主题专家组成员,“十五”期间,作为国家半导体照明工程专家组成员,中国LED行业协会顾问专家,国家半导体照明工程研发及产业联盟理事,努力为我国的LED照明光源的革命做出贡献。
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【期刊论文】P-Type GaN Directly Grown by Low Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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【期刊论文】Temperature dependence of Raman scattering in single crystal GaN films
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