您当前所在位置: 首页 > 学者
在线提示

恭喜!关注成功

在线提示

确认取消关注该学者?

张国义

     

  

一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。

个性化签名

TA的关注(0) 关注TA的(0)
留言板

该学者已关闭了留言功能

暂无留言

  • 姓名:张国义
  • 目前身份:
  • 担任导师情况:
  • 学位:
  • 学术头衔:

    博士生导师

  • 职称:-
  • 学科领域:

    凝聚态物理学

  • 研究兴趣:一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。
个人简介

 张国义,理学博士,北京大学物理学院教授,博士生导师,北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任,中国物理学会发光分会理事;中国电子学会办半导体与集成技术分会委员会委员;《半导体学报》,《发光学报》,《液晶和显示》编委。长期从事半导体物理与器件物理,半导体光电子学,MOCVD生长技术的研究。自1993年至今,一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。申请国家发明专利20多项,发表论文100多篇。作为会议主席,在1998年和2001年两次在中国主持召开了国际III-V氮化物半导体专题研讨会,多次作为(氮化物半导体相关的)重大国际会议委员会委员,参加国际学术交流。作为第一发明人,曾获得国家发明四等奖,国家教委科技进步二等奖等奖励。先后在美国,日本,澳大利亚,比利时开展合作研究。“九五”期间,作为国家“863”计划信息光电子主题专家组成员,“十五”期间,作为国家半导体照明工程专家组成员,中国LED行业协会顾问专家,国家半导体照明工程研发及产业联盟理事,努力为我国的LED照明光源的革命做出贡献。

  • 主页访问

    2519

  • 关注数

    0

  • 成果阅读

    145

  • 成果数

    10

TA的成果
个人主页 返回顶部