陈弘毅，男，1942年出生于重庆市。1965年本科毕业于清华大学无线电电子学系，1981年研究生毕业于清华大学计算机科学与工程系。自1981年起在清华大学微电子学研究所从事教学与科研工作。
　　1981-1985讲授电子工程系本科生"量子力学"课程，并参与研究生"固体物理"课程教学工作。
　　1985-1987在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)电机系固体器件研究室从事超晶格量子阱结构的界面和隧穿性质研究。在此期间，研制了高灵敏度隧道谱仪，并用来分析了各种超晶格量子阱结构的共振隧穿和声子谱特性。为了研究金属-半导体接触的界面特性，提出和建立了正偏肖特基势垒电容-电压法测量系统，研究了不同工艺条件对微波砷化镓金属-半导体接触场效应晶体管(GaAs-MESFET)界面特性的影响。
　　自1987年以来从事集成电路(IC)设计研究，包括：基于门阵列(GA)、标准单元(SC)和功能块(BB)的专用集成电路(ASIC)设计方法；库开发技术；系统的芯片集成(System on-a-Chip)；算法的硬件架构与实现；超大规模集成电路-数字信号处理(VLSI-DSP)在多媒体信号(语言、音频、图象、视频)处理和信息安全领域的应用等等。
　　中国电子学会和IEEE高级会员。清华大学学术委员会委员、信息学院学术委员会副主任、微电子学研究所学术委员会主任。
1988～1998年主持自然科学基金委关于系统芯片集成(SOC)基础研究重大、重点项目的成果在2001年获北京市科技进步二等奖。1997～1998年主持的公用电话预付费IC卡芯片转产大唐微电子公司，于1998年12月生产定型，2000年生产量超过6000万片，在2001年12月获北京市科技进步一等奖，在2002年12月获国家科技进步二等奖。1998～2003年主持的国家第二代身份证用非接触式IC卡芯片于2001年转移到清华同方微电子公司实现产业化，2003年12月完成生产定型，2004年向公安部交货1000万片，2005年订货3000万片；在2004年12月获北京市科技进步二等奖。
　　自1995年以来共申请美国发明专利21项，其中13项已经获准得专利权。
　　自1982年以来发表论文近200篇，其中SCI收录10篇、EI收录60余篇，参与出版专著两部："集成电路工业全书"，电子工业出版社，1993年；"ULSI器件、电路与系统"，科学出版社，2000年。译著一部："VLSI数字信号处理系统－设计与实现"[John Willey & Sons Inc.]，美国明尼苏达大学教授凯夏博·帕里(Keshab K. Parhi)著，机械出版社，2004年。
　　自1988年以来，共培养硕士生12人，都已取得硕士学位；自1993年以来，培养博士生26人，15人已取得博士学位。