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胡礼中

半导体材料与器件

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姓名：胡礼中
目前身份：
担任导师情况：
学位：
学术头衔：

博士生导师
职称：-
学科领域：

微电子学
研究兴趣：半导体材料与器件

个人简介

　胡礼中，大连理工大学物理与光电工程学院电子科学与技术研究所教授，中国物理学会半导体专业委员会委员。研究领域：半导体材料与器件。主要成果：1 .“单片集成1.5μm碰撞脉冲锁模量子阱激光器”：该成果在理论上首次提出完整的碰撞脉冲锁模模型;实验上在传统的三段式碰撞脉冲结构中引入“调节段”保证了强碰撞脉冲效应,并通过腔面蒸镀高反膜抑制自脉动,达到国际先进水平.该成果对推动我国PIC研究和超短脉冲技术发展作出了贡献。该成果在大容量超高速光纤通信、超快过程探测等方面有广阔的应用前景。该成果1995年11月通过国家教育部鉴定。2.“单片集成1.5μm被动锁模量子阱激光器与超短光脉冲联机测量系统”：该成果（1）在国内首次制成集成式锁模激光器，直流加载下测得脉宽3ps、重复频率20GHz的超短光脉冲，处于国内领先水平；（2）在国内首次建立了一套强度自相关自动测量系统，电信号加载方便，重复性好，数据处理迅速准确。该成果在大容量超高速光纤通信、超快过程探测及半导体光电子学领域等方面有广阔的应用前景。该成果1995年11月通过国家教育部鉴定。3．“GaAs光发射机单片集成”：该成果的创新之处在于巧妙运用自己发现的伴生高阻层现象解决了单片式光电集成器件制作中的工艺共容性问题,制成了国内第一种单片式集成激光发射机,为跟踪世界先进水平打下了基础.该成果的核心部分已获国家发明专利，该成果94年取得国家科委颁发的科技成果证书。4．发表论文80余篇。1991年获科技部授予的全国863先进工作者称号。