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刘昌龙

     

  

主要从事离子注入在半导体器件工艺中的应用以及Si底材料发光性能研究。

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  • 姓名:刘昌龙
  • 目前身份:
  • 担任导师情况:
  • 学位:
  • 学术头衔:

    博士生导师

  • 职称:-
  • 学科领域:

    凝聚态物理学

  • 研究兴趣:主要从事离子注入在半导体器件工艺中的应用以及Si底材料发光性能研究。
个人简介

 刘昌龙,1989至1999年在中国科学院近代物理研究所从事科研工作,并分别于1993年6月和1999年6月分别获理学硕士和博士学位,主要从事的研究方向为固体材料的重离子辐照损伤及其应用。1999年11月至2000年10月,受英国皇家奖学金资助,赴英国萨利大学(University of Surrey)的电子工程数学和信息学院从事博士后研究,研究方向为离子注入在单晶Si中超浅PN结形成中的应用研究。2001年7月至2003年6月赴法国国家科研中心(CNRS)和欧洲ST微电子公司下属的高功率器件实验室进行两年博士后研究工作,主要从事单晶Si中He注入气泡形成及其在现代半导体技术中应用研究。2003年7月被天津大学引进到理学院从事教学和科研工作,现为教授、博士生导师,主要从事离子注入在半导体器件工艺中的应用以及Si底材料发光性能研究。现为中国核物理学会名员。
  主持、参加和完成了多项国家自然科学基金、中科院"八五"和"九五"重点基金项目、甘肃省自然科学基金项目以及多项国际合作基金项目,已在国内外核心期刊上发表第一作者论文30余篇,其中《SCI》和《EI》收录论文20余篇,并且主要参加和完成的科研项目"高能重离子在非电导体材料中电子激发引起的效应研究"曾于2002年荣获甘肃省科技进步二等奖。

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    2001

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