刘红侠
主要研究领域包括纳米器件物理和可靠性关键技术,SoC设计技术,新型结构器件和电路,集成电路可制造性等。
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- 姓名:刘红侠
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学术头衔:
博士生导师, 教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者
- 职称:-
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学科领域:
制糖技术
- 研究兴趣:主要研究领域包括纳米器件物理和可靠性关键技术,SoC设计技术,新型结构器件和电路,集成电路可制造性等。
刘红侠,女,1968年12月出生,微电子学与固体电子学博士、教授、博导。中国电子学会高级会员,电子学会青年工作委员会委员,西安电子科技大学学科带头人和十佳青年教师。国家自然科学基金项目评审专家和科技部国际科技重大合作计划项目评价专家。主要研究领域包括纳米器件物理和可靠性关键技术,SoC设计技术,新型结构器件和电路,集成电路可制造性等。1990年7月获西北大学物理系学士学位,1995年6月获西安交通大学电子工程系硕士学位,2002年3月获西安电子科技大学微电子学博士学位,2002年4月进入信息与通信工程博士后流动站。2000年6月破格晋升副教授,2002年6月破格晋升教授。2001年9月出席法国举行的表面和界面国际会议,和法国的皮埃尔和玛丽.居里大学建立了良好的合作关系。2003年-2004年在英国曼彻斯特理工大学做访问学者,和国际著名的微电子专家A.R.Peaker教授进行纳米器件可靠性研究领域的国际合作研究。先后主持承担国家863计划项目、国家自然科学基金、教育部新世纪优秀人才计划、教育部科技重点计划、教育部留学回国人员基金、博士后基金、国防预研基金、武器装备预研基金和重大军事电子预研项目三十项。获国防科技进步二等奖和信息产业部科技进步三等奖、教育部新世纪优秀人才、陕西省青年科技奖、陕西省创新能手和陕西省优秀博士后等荣誉称号。在国内外著名期刊Semiconductor Science and Technology, Surface and Interface Analysis, Microelectronics Reliability, Journal of Electronics, Journal of Semiconductors, Chinese Physics等发表论文近百篇,七十余篇被著名的三大检索收录,论文被引用近百次。
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【期刊论文】The role of hydrogen in negative bias temperature instability of pMOSFET
刘红侠
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【期刊论文】The Influence of Source and Drain Junction Depth on the Sub-50nm MOSFET Devices
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【期刊论文】A study on hot-carrier-induced gate oxide breakdown in partially depleted simox mosfet`s
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【期刊论文】An efficient optimization algorithm in integrated circuit reliability design
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【期刊论文】Degradation characteristics and mechanism of PMOSFETs under NBT–PBT–NBT stress
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