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贺朝会
电子元器件、大规模集成电路和系统的辐射效应；核电池及核能的转换和利用等。
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- 姓名：贺朝会
- 目前身份：
- 担任导师情况：
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学术头衔：
博士生导师， 教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者
- 职称：-
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学科领域：
制糖技术
- 研究兴趣：电子元器件、大规模集成电路和系统的辐射效应；核电池及核能的转换和利用等。
贺朝会，男，西安交通大学教授。1989年毕业于北京大学，获理学学士学位。1999年毕业于西安交通大学，获电子科学与技术学科博士学位。曾从事放射性核素测量与分析工作、半导体器件的中子辐射效应、单粒子效应以及各种辐射效应理论与实验研究。负责和参加国防预研重点项目和国家自然科学基金项目多项。在辐射效应研究领域，特别是空间辐射效应方面，有一定的造诣。被总装备部核技术局聘为国防预研抗辐射加固项目管理办公室兼职成员；作为专家之一，应邀为中国电子科技集团作电子元器件抗辐射加固方面的讲课培训；被总装备部电子信息基础部军用电子装备局聘为专家；入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”。发表研究论文50余篇，其中第一作者36篇（3篇被科学引文索引（SCI）收录；5篇被工程索引（EI）收录；6篇被原子能索引（INIS）收录；3篇被化学文摘（CA）收录）。参与编书1本：电子元器件辐射效应编委会编《电子元器件抗辐射加固技术》；获实用新型专利1项：用于pA量级质子束流测量的法拉第探测器；获部级科技进步一等奖1项（排名第1）、部级科技进步三等奖2项；曾荣立个人和集体三等功各1次。目前主要研究方向有：电子元器件、大规模集成电路和系统的辐射效应；核电池及核能的转换和利用等。
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2005-03-31
贺朝会， ， 耿斌， 王燕萍， 彭宏论， 杨海亮， 陈晓华， 李国政
，-0001，（）：
-1年11月30日
应用252Cf源和60Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究，实验结果表明，静态加电和不加电状态下，γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大，无明显的规律。动态测量状态下，在存储单元中写入相同数据时，器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据取反，会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经60Coγ源辐照时的水平，甚至更低，从而抵销了累积剂量对单粒子翻转截面的影响。
静态随机存取存储器， 252Cf源， 60Coγ源， 单粒子翻转效应
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2005-03-31
贺朝会， ， 耿斌， 惠卫东， 黄芳， 王燕萍， 李国政
，-0001，（）：
-1年11月30日
研究了在一定真空度（1Pa左右）下和辐照环境（104裂片/s、104n/s）中获得高低温的方法，特别是低温（-55～20℃）的实现技术。研制出适应于锎源辐照测量系统的高低温装置及测量控制系统，温度范围：-100～125℃，控制精度：高温±1℃；低温：±3℃。应用该系统开展了半导体存储器的重离子单粒子翻转截面随温度变化的关系研究，在国内首次得到了重离子单粒子翻转截面随温度变化的关系曲线。
低温， 高温， 锎源， 单粒子翻转， 真空
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2005-03-31
贺朝会，
，-0001，（）：
-1年11月30日
系统分析了国外单粒子翻转率预估方法，提出了一种适合国内现状的单粒子翻转率预估方法，计算了五个典型轨道上的单粒子翻转率和轨道翻转率系数，为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据。
空间轨道、单粒子翻转率、质子、重离子
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2005-03-31
贺朝会， ， 耿斌， 王燕萍， 杨海亮， 张正选， 陈晓华， 李国政， 路秀琴， 符长波， 赵葵， 郭继宇， 张新
，-0001，（）：
-1年11月30日
应用重离子加速器和252Cf源进行单粒子翻转效应实验，测量得到IDT系列和HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV.cm2/mg，单粒子翻转饱和截面为10-7cm2.bit-1量级，位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明，可以用252Cf源替代重离子加速器测量静态随机存取存储器的单粒子翻转饱和截面。
静态随机存取存储器,， 重离子加速器,， 252Cf源,， 单粒子翻转效应
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2005-03-31
贺朝会， ， 杨海亮， 耿斌， 陈晓华， 李国政， 刘恩科， 罗晋生
，-0001，（）：
-1年11月30日
文中着重描述了测量静态随机存取存储器（SRAM）质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流5-6个量级，从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能，保证了翻转数的准确测量。实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14cm2/bit量级，随质子能量的增大略有增大。并对观察到的单个位的硬错误及器件功能失效现象给予了合理的解释。
静态随机存取存储器， 质子， 单粒子效应， 束流测量
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2005-03-31
贺朝会，
，-0001，（）：
-1年11月30日
分析了国内可用于单粒子效应实验研究的模拟源的优缺点，简要介绍了单粒子效应实验测量系统，着重分析了单粒子效应对测试系统的要求，介绍了单粒子翻转、单粒子闭锁、单粒子烧毁和栅穿效应测试系统，指出了实验中应该注意的问题。
加速器， 质子， 重离子， 锎源， 单粒子效应
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2005-03-31
贺朝会， ， 陈晓华， 李国政
，-0001，（）：
-1年11月30日
在分析质子与硅反应的基础上，提出质子单粒子翻转截面理论计算模型，建立了模拟计算方法。计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量。指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量，产生电荷，导致单粒子效应。得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系。计算得到的单粒子翻转截面与实验数据符合较好。
质子， 单粒子翻转， Monte Carlo模拟
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贺朝会， ， 耿斌， 杨海亮， 陈晓华， 李国政， 王燕萍
，-0001，（）：
-1年11月30日
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象。指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因。浮栅ROM器件的中子、质子和60Coγ辐射效应都是总剂量效应。
浮栅ROM、中子、质子、60Coγ、总剂量效应
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贺朝会， ， 耿斌， 杨海亮， 陈晓华， 李国政， 王燕萍
，-0001，（）：
-1年11月30日
浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明，其31.9MeV质子和14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应，而是一种总剂量效应。浮栅ROM器件的60Coγ辐照实验验证了这一点。器件出现错误有个注量或剂量阈值。动态监测和静态加电的器件都出现数据错误，且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高注量的质子或中子或更高剂量的γ辐照下未出现错误。器件刚开始出错时，错误数及错误地址都是不确定的。
浮栅ROM、辐射源、单粒子效应、总剂量效应
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