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时龙兴

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姓名：时龙兴
目前身份：
担任导师情况：
学位：
学术头衔：

博士生导师，教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者
职称：-
学科领域：

微电子学
研究兴趣：

个人简介

　时龙兴，男，1964年8月出生，1992年获微电子学博士学位。现任东南大学集成电路学院院长兼总支书记、ASIC工程中心主任，国家“八六三”集成电路设计战略研究专家组成员。
　　一直在科技研究、开发第一线工作，近几年先后完成国家863计划、江苏省“十五”科技攻关等项目十多项，省级以上鉴定科技成果15项，其中多项实现了产业化，取得了较好的经济和社会效益。正在主持国家863计划、国家自然科学基金等项目8项。获得国家科技进步三等奖1项，江苏省科技进步一等奖3项，教育部科技进步二等奖1项；申报并受理国际发明专利1项，国家发明专利23项，实用新型专利8项；获国家发明专利授权10项，实用新型专利6项。在核心期刊上发表论文40余篇。
　　于1992年起享受国务院特殊津贴，1998年被评为江苏省优秀青年骨干教师，江苏省青蓝工程培养对象，2001被评为江苏省“九五”产学研联合先进个人，2002年获教育部跨世纪优秀人才，2003年获第九届江苏省十大杰出青年提名奖，江苏省新长征突击手称号，2005年获第八届江苏省青年科技奖。

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TA的成果

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2009-01-21

【期刊论文】基于关键路径和面积预测的软硬件划分方法

时龙兴，彭艺频，凌明，杨军

电子学报，2005，33（2）：249～253，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文提出了一种基于关键路径和面积预测的软硬件划分方法，这种划分方法将软硬件映射和任务调度合而为一，在调度过程中同时完成软硬件的映射，充分发挥了任务调度的作用。在实验过程中，我们对比了基于模拟退火算法的软硬件划分方法（SA）和基于路径分析的软硬件划分方法（PA）。实验结果表明，我们提出的方法在成功率以及结果的优化程度上都能取得更好的效果。

软硬件划分，任务调度，关键路径，面积预测，通信综合

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2009-01-21

【期刊论文】高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析*

时龙兴，柯导明，陈军宁，孙伟锋，吴秀龙，柯宜京

固体电子学研究与进展，2005，25（1）：020～107，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式，指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响，得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性。

横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，场极板，击穿电压

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2009-01-21

【期刊论文】四类LO信号对CMOS Gilbert混频器增益影响分析

时龙兴，唐守龙，罗岚，陆生礼

电路与系统学报，2005，10（2）：066～070，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号（Local Oscillator，LO）作用下的开关模型，提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25pm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明，本文预测的电压增益理论值与仿真结果相差最大为0．08dB，对CMOS混频器的优化设计具有指导意义。

CMOS射频集成电路，混频器，电压转换增益

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2009-01-21

【期刊论文】SoC中低峰值功耗的BIST调度算法*

时龙兴，杨军，李杰，李锐

电路与系统学报，2004，9（1）：068～072，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文提出了一种系统芯片（SoC）中用于降低内建自测试（Built-in Self-test，BIST）峰值功耗的调度算法。首先本文提出了基于扫描BIST的精简功耗模型，在此模型的基础上。提出了通过调整扫描周期和扫描起动时间的办法来避免过高的SoC测试峰值功耗。实验结果表明，该算法可以有效地避免BIST并行执行可能带来的过高峰值功耗。

内建自测试，低功耗，系统芯片