冯士维
主要研究方向:半导体光电子学、微电子器件及光电子器件可靠性物理、新型半导体器件和技术等。
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- 姓名:冯士维
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- 担任导师情况:
- 学位:
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学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
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学科领域:
微电子学
- 研究兴趣:主要研究方向:半导体光电子学、微电子器件及光电子器件可靠性物理、新型半导体器件和技术等。
冯士维,博士,教授,博士生导师。现任电子信息与控制工程学院副院长(主管教学)。于1983年、1986年分别获吉林大学理学学士、硕士学位。1986年任教于北京工业大学。1999年获北京工业大学工学博士学位。2000年至2002年分别在美国Howard大学和Rutgers大学作博士后研究。国家科委国际合作项目和教育留学基金评审专家。
主要研究方向:半导体光电子学、微电子器件及光电子器件可靠性物理、新型半导体器件和技术等。
主持和作为主要成员完成电子部、国防科工委、北京市科委等研究课题二十多项。获得北京市及电子工业部科技进步奖四项,授权发明专利7项,国家发明博览会铜奖一项。译著2部,优秀论文三篇。发表论文70余篇。入选北京市科技新星计划、北京市跨世纪人才工程和国家人事部“百千万人才工程”,评选为北京市优秀青年教师。
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【期刊论文】Lowresistance Ti/Al/Ti/Au multilayer ohmic contact to nGaN
冯士维, DongFeng Wang, Feng Shiwei, C. Lu, Abhishek Motayed, Muzar Jah, and S. Noor Mohammada), Kenneth A. Jones, L. SalamancaRiba,
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOLUME 89, NUMBER 11 1 JUNE 2001,-0001,():
-1年11月30日
A metallization scheme has been developed for obtaining low ohmic contacts to nGaN with a low contact resistance. The metal contact is a Ti/Al/Ti/Au composite with layers that are respectively 30, 100, 30, and 30 nm thick. Contacts with a specific contact resistivity r s, as low as 6.0 31027 V cm2 for a doping level of 1.4031020 cm23 were obtained after annealing the sample for 30 s at 750℃ in a rapid thermal annealer. The Ti placed on top of the traditional Ti/Al contact appears to have the advantage of tying up the excess Al; therefore it does not form a mottled contact. Some of the additional Ti-Al intermetallic alloys that are formed also have beneficial effects. The Ti-Au layer forms a robust upper portion of the composite, which enables the contacts to have hightemperature applications.
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