李越生
从事材料结构与性能之关系的研究,材料的表面和界面研究,材料表征和微电子、光电子器件工艺研究。
个性化签名
- 姓名:李越生
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
-
学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
-
学科领域:
材料科学
- 研究兴趣:从事材料结构与性能之关系的研究,材料的表面和界面研究,材料表征和微电子、光电子器件工艺研究。
李越生,1955年生,1982 年7月,毕业于北京大学物理系,获物理学学士学位。1992 年3月,毕业于美国纽约州立大学石溪分校 (SUNY at Stony Brook) ,获材料科学博士学位。1992 年4月,在加拿大 不列颠哥伦比亚大学 (UBC) 作博士后研究3年。
长期从事材料结构与性能之关系的研究,材料的表面和界面研究,材料表征和微电子、光电子器件工艺研究。现任复旦大学国家微电子材料与元器件微分析中心主任,教授,博导。上海有色金属学会常务理事;上海真空学会副理事长;中国真空学会理事。
在国内外学术期刊上共发表论文70多篇,其中SCI、EI文章60多篇。
-
主页访问
1231
-
关注数
0
-
成果阅读
322
-
成果数
5
李越生, 曹阳, 聂福德,
火炸药学报,2004,27(3):85、95、06、16、37,-0001,():
-1年11月30日
报道了在不同颗粒尺寸TATB基PBX体系制备过程中的微观结构,重点研究了高填充率PBX体系,结合多种高分辨率的微观结构与组分表征手段如SEM、EDX、XRD等,观察到了一些典型的原生和再生缺陷以及黏结剂的分布特性,初步建立了颗粒、造型粉、药柱之间系统表征的联系,为材料宏观性能的改进提出了新的途径。
PBX, TATB, 微观结构
-
42浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
109下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究*
李越生, 廖淼, 汪荣昌, 戎瑞芬顾志光
固体电子学研究与进展,2003,23(4):025、125、225、325、425、525,-0001,():
-1年11月30日
从排胶和共烧两方面,研究了氮化铝(AlN)/玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明:流延坯片和银浆的排胶特性不同,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明:AlN/玻璃复合系统的烧结为液相烧结;引入微氧烧结气氛将改变界面状况,有利于AlN/玻璃复合材料和银共烧的实现。
氮化铝, 复合材料, 低温共烧, 排胶, 烧结
-
43浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
200下载
-
0评论
-
引用
李越生, 纪刚, 曹永明, 华铭
半导体学报, 2001,6(6):36~237,-0001,():
-1年11月30日
利用SIMS分析技术,研究了在InGaAlP和GaP材料中,MOCVD工艺参数对Mg的掺杂行为的影响。实验结果表明,在较高温度下,Mg在生长表面的再蒸发决定了Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降;而当载流子浓度饱和时,杂质Mg在材料中的置换填隙机制使得Mg的激活率随Cp-Mg流量的再增加反而下降。同时通过计算得到Mg在InGaAlP及GaP中的再蒸发激活能分别约为0.9eV和1.1eV。
InGaAlP, GaP, Mg, 掺杂
-
100浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
197下载
-
0评论
-
引用
李越生, 潘艺永*, 曹永明, 陈维孝, 宗祥福
分析化学(FENXI HUXUE)研究简报,1999,27(2):158 ~161,-0001,():
-1年11月30日
用飞行时间次级离子质谱(ToF-SIME)结合银离化方法研究了集成电路封装用环氧模塑料的主要成分—邻甲酚环氧树脂。实验中测得n=0-4的树脂分子及相应的水解成分。碎片离子中除了芳香化合物通常具有的碎片外,还有反映树脂结构的碎片。通过对银离化碎片离子的分析,推断中间苯环上的侧链是最可能断裂的。
飞行时间次级离子质谱,, 银离化,, 环氧树脂
-
55浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
64下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】用TOF-SIMS 研究半导体芯片铝键合点上的有机沾污
李越生, 郑国祥, 宗祥福, 任罗俊, 史刚
半导体学报, 1998,9(9):306-607,-0001,():
-1年11月30日
铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀,并导致微芯片的失效。过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污;很少接触到键合点的有机沾污。飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的有力武器。作者比较了两个TOF-SIMS的正离子谱,一个是经目检发现键合点有沾污点的芯片,另一个是无沾污芯片。根据对TOF-SIMS特征谱线和离子像的研究,认为沾污点是由某些以CHx和NHy结构组成的有机化合物造成的,并对铝有腐蚀作用。经分析发现这些有机沾污来源于微芯片的工艺过程。
-
82浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
100下载
-
0评论
-
引用