黄启忠
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- 姓名:黄启忠
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学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
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学科领域:
材料科学基础学科
- 研究兴趣:
黄启忠,1962年12月生,教授,博导,芙蓉学者。1982年大学毕业于湖南大学炭素专业,1985年硕士毕业于中国科学院金属研究所无机非金属材料专业,1993年博士毕业于湖南大学无机非金属材料专业,1996年中南大学博士后冶金学科出站。已从事二十多年的炭素材料和C/C复合材料的研究与开发工作。2008年聘为湖南省“芙蓉学者奖励计划”特聘教授,是湖南省国防科技工业科技创新先进个人,教育部骨干教师,原中国有色金属工业总公司和湖南省跨世纪学科带头人培养对象。现担任粉末冶金研究院副院长,《新型炭材料》、《炭素技术》、《炭素》、《高科技纤维与应用》杂志编委,中国科学院炭材料重点实验室学术委员,中国电工学会炭-石墨材料专业委员会委员,中国金属学会炭素分会委员,2002年国际炭会议学术委员,是国家军品配套科研“十五”计划编写专家和国家“十一五”科技规划重大项目评审专家。
先后在国内外发表论文100余篇,其中70多篇被SCI、EI收录,国际炭会议特邀报告一次,获得国家技术发明一等奖等7项科技成果奖励,取得发明专利8项。主持完成的项目有国家自然科学基金、国家863项目、国防科工委民口配套项目,中国博士后基金、湖南省自然科学基金、教育部骨干教师基金等及多项横向课题。技术总负责的国家重点工业性实验项目“C/C复合材料航空刹车副的研制和开发”取得了良好的业绩,使我国成为能生产 C/C复合材料航空刹车副的国家。
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【期刊论文】Fluffy carbon submicrospheres produced by a catalyzed solvent-thermal reaction
黄启忠
,-0001,():
-1年11月30日
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黄启忠
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-1年11月30日
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【期刊论文】耦合物理场CVI快速增密C/C复合材料及动力学探讨
黄启忠, 谢志勇, 黄启忠*, 苏哲安, 张明瑜, 梁锦华, 黄伯云
复合材料学报,2005,22(4):47~52,-0001,():
-1年11月30日
采用多元耦合物理场CVI工艺,用炭毡作为增强体,在增强体中设计导电层,产生温度场和电磁场梯度,在自行设计的CVI炉中增密C/C复合材料,对温度、系统压力和气体流量等工艺进行了优化;采用偏光显微镜研究了热解炭的显微结构;用X射线衍射研究了材料的石墨化度;探讨了本工艺中的有内热源和无内热源的二元传热机制,多元耦合物理场的有机耦合对“消耗传质”的抑制作用,以及电磁场对沉积的影响和3种典型的生长模型。研究表明,多元耦合物理场CVI 增密速度快,初始密度为0.2g/cm3,尺寸为260mm×60mm×20mm 的增强体,在920℃、4kPa条件下沉积20h,试样可增密到171g/cm3;可获得粗糙层结构huangqizhongRL)、光滑层结构(SL)、带状结构(Banded st ructure)等热解炭的结构,在960℃、0.1kPa条件下可获得较高织构的粗糙层结构。
多元耦合物理场CVI, C/, C复合材料, 快速致密, 传质传热, 沉积模型
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黄启忠, 张福勤, 邹林华, 黄伯云, 熊翔, 张传福
无机材料学报,2004,19(5):1118~1122,-0001,():
-1年11月30日
采用TEM表征结构、喇曼光谱表征石墨化度,研究了C/C复合材料中典型粗糙层(RL)和光滑层(SL)结构热解炭生长特征及其与可石墨化性之间的对应关系。结果表明,RL为层状结构,片层呈平直形状,有明显的锥状生长特征,同一锥面中石墨微晶C轴的取向基本相同。相邻锥面中的相差一个小角度,SL没有明显的生长特征;RL比SL结构热解炭容易石墨化,经2400℃石墨化处理后,两者(002)衍射弧宽度分别为39°和66°,对应的石墨化度分别为87.6%和25.6%。提出了一种RL结构热解炭锥状生长结构模型。
热解炭, TEM, 喇曼光谱, 结构
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黄启忠, 李丽娅, 张红波
中南大学学报(自然科学版),2005,36(2):193~197,-0001,():
-1年11月30日
在不同温度下对聚丙烯腈基炭纤维(PAN-CF)进行张力炭化处理并进行高温石墨化。研究结果表明:在炭化过程中,PAN-CF的拉伸强度在1400℃时达最大值,拉伸模量则随炭化温度的升高而增大;与炭化样品相比,PAN-CF石墨化后的拉伸强度减小,拉伸模量增大;随着炭化温度的升高,微晶c 轴方向堆叠厚度Lc增大,层面间距d002减小;炭化温度为1400℃时,PAN-CF在石墨化后,内部的炭颗粒排列得非常紧密,并且孔洞、裂纹、皮芯结构等缺陷很少;当炭化温度高于1400℃时,石墨化后PAN-CF内部有大量缺陷,使PANCF的拉伸强度大大降低。
聚丙烯腈基炭纤维, 张力炭化, 石墨化, 组织结构
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黄启忠, 刘兴芳, 苏哲安, 蒋建献
硅酸盐学报,2004,32(7):906~910,-0001,():
-1年11月30日
采用化学气相反应法,以3种不同工艺在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并检测了其抗氧化性能。以工业用Si和辅助剂SiO2为原料,在高温、惰性环境中反应产生SiO蒸气,将其引入反应室与C/C复合材料在不同温度下进行气相反应,在试样表面生成一层致密的SiC涂层。X射线衍射分析表明:涂层是由β-SiC组成。从试样截面的扫描电镜可知:不同工艺制得的SiC涂层界面过渡带颗粒的微观形貌各异。经最优工艺制备的涂层过渡带很窄,有β-SiC纳米晶须生成,且其抗氧化性能最佳。
一氧化硅, 碳化硅涂层, 纳米晶须, 化学气相反应法
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