金志浩
主要研究方向为先进结构材料与材料强度。
个性化签名
- 姓名:金志浩
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
-
学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
-
学科领域:
材料科学
- 研究兴趣:主要研究方向为先进结构材料与材料强度。
金志浩,男,西安交通大学教授、博士生导师。1960年西安交通大学反应堆材料金属学与金属物理专业毕业。1981~1983年在日本东北大学材料强度研究所作访问学者。现任先进陶瓷研究所所长,中国材料研究学会环境材料分会副主任,中国机械工程学会工程陶瓷专业委员会副主任;历任西安交通大学材料科学系系主任,材料学院院长,中国材料研究学会理事,国务院学位委员会学科评议组成员,全国材料工程专业教学指导委员会副主任,金属材料及热处理专业教学指导委员会主任,国家自然科学基金委无机材料学科组评审委员,亚太地区材料强度研究会常务理事,中国硅酸盐学会理事,陕西省特陶专业委员会主任委员。主要研究方向为先进结构材料与材料强度,发表论文400余篇,出版教材,专著7部,获省部委级奖励6项,主持并承担国家自然科学基金,科技部重点科技攻关,高技术863,国防科工委军工项目等20余项。
-
主页访问
1208
-
关注数
0
-
成果阅读
99
-
成果数
2
金志浩, 李冬云, 乔冠军
中国有色金属学报,2003,13(4):944~948,-0001,():
-1年11月30日
利用压痕强度法测定了SiC/BN 层状陶瓷的阻力曲线行为,并与SiC单相陶瓷做对比。结果表明:2种材料均呈现出上升阻力曲线行为,其中,SiC/ BN 层状陶瓷显示出更为优越的抗裂纹扩展能力,其阻力曲线上升较陡,上升幅度较大;SiC单相陶瓷的阻力曲线上升较缓且上升幅度较小。分析认为,这与其不同的增韧机制有关。原位增韧是SiC单相材料韧性提高的主要原因,而裂纹遇到弱界面时发生偏转、分叉、脱层等是层状陶瓷材料抗裂纹扩展能力提高的主要原因。
层状陶瓷, 阻力曲线, 压痕弯曲强度法
-
59浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
63下载
-
0评论
-
引用
金志浩, Si-Dian Li, , Sheng-Yun Li, Ming-Gen Zhao, Hai-Shun Wu, and Zhi-Hao Jin
PHYSICAL REVIEW B 66, 165213 (2002),-0001,():
-1年11月30日
Ground-state structures, stabilization energies, HOMO-LUMO energy gaps, and vibrational frequencies ofGelSimCn ternary microclusters (s5l1m1n<6) have been investigated using the configuration interactionwith all single and double substitutions method, and ionization potentials and vertical detachment energies oftrimers and tetramers predicted utilizing the outer valence Green-function frozen-core procedure. GelSimCn isfound to follow structural patterns similar to corresponding Sil1mCn binary clusters and most ternary speciespossess singlet ground states except GeSiC4, which prefers a triplet one. Trimers, tetramers, and GeSi2C2 areplanar, and the C-rich GeSiC3 and GeSiC4 are linear, while all the other Si-rich or Si- and Ge-rich clusters withs>5 atoms prefer three-dimensional structures. Formation of strong CvC bonds! predominates the relativestabilities of different isomers for clusters with limited numbers of C atoms, while SivC bonds play animportant role for silicon-rich species or systems with close C and Si atomic ratios. Planar and linear semiconductorclusters possess delocalized multicenter-two-electron pbonds aromatic! and follow the (4n12)electron counting rule. Frequency analyses indicate that most vibrational modes of small ternary clusters arecarbon dominated in terms of amplitudes, while Si atoms vibrate in medium sizes and Ge atoms vibrate veryweakly.
-
40浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
64下载
-
0评论
-
引用