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薛钰芝

材料表面、薄膜，光伏学，电子材料与器件

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姓名：薛钰芝
目前身份：
担任导师情况：
学位：
学术头衔：

博士生导师
职称：-
学科领域：

半导体技术
研究兴趣：材料表面、薄膜，光伏学，电子材料与器件

个人简介

　薛钰芝，博士(博士后)、教授、博导，大连交通大学材料学院电子材料与器件教学与研究中心主任。辽宁省计算物理学会理事，辽宁省电镜学会理事。1968年毕业于北京大学，1982，1988年在清华大学获硕士、博士学位。1993年荷兰FOM原子分子物理所博士后。从事材料表面、薄膜，光伏学，电子材料与器件的教学与科研。
　　承担国家、省、部级十多项课题。研制成我国第一台低能电子衍射仪（电子部二等奖）、扫描离子显微镜（863项目），均填补国内空白，达国际先进水平。
　　长期研究多层光、电功能膜。主持完成"多层光、电功能膜及其界面的研究"等省自然基金、教委留学基金项目。与长春应化所合作，完成国家自然基金（仪器专项）"剪切激光光散射仪器的研究"，2004年通过基金委专家验收，填补国内空白，达国际先进水平。2001－2004承担"新型光伏材料及第三代太阳能光伏技术与系统的研究"（科技部中澳合作特别基金），两次到澳大利亚新南威尔士大学与M.Green教授合作研究第三代太阳电池。发表论文50余篇。培养博士生2名，硕士生14名（7名毕业）。获电子部科技成果二等奖；辽宁省教委科技进步二等奖。获"有突出贡献的中国博士学位获得者"；铁道部有突出贡献的专家、优秀教师，全国、省、市 "三八红旗手"，"大连市十大女杰"等称号；国务院政府特殊津贴。

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TA的成果

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2009-08-17

【期刊论文】太阳能光伏技术的研究与发展

薛钰芝，张力，林纪宁

大连铁道学院学报，2003，24（4）：71～74，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

分析了发展太阳能光伏技术的必要性，介绍了世界各国家的太阳能光伏发电的情况，特点及我国的发展现状。阐明太阳能光伏技术研究发展的趋势及特点，及光伏电池发展的三个阶段，提出了新型光伏技术即三代太阳能光伏电池的设想。

太阳能，光伏技术，太阳电池

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2009-08-17

【期刊论文】Al/Al2O3多层膜的表面和界面的分析研究

薛钰芝， Martin A Green 　

真空科学与技术，2002，22（1）：73～76，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用热蒸发沉积和自然氧化及加热法制备纳米量级的Al/Al2O3 薄膜和多层膜。用X射线光电子谱仪（XPS）和透射电镜（TEM）对样品进行检测。XPS 实验说明自然氧化的Al2O3膜层厚在2～5nm。Al/Al2O3 薄膜及多层膜的O与Al的原子浓度比为1.43～1.85。Ar 离子刻蚀的XPS 实验结果（刻蚀速率为0.09nm/s）说明：2个对层的Al/Al2O3 多层膜截面样品具有周期性结构。TEM观察到了5个对层的Al/Al2O3 多层膜的层状态结构，其周期为4nm。由此说明，热蒸发及自然氧化法是制备纳米量级的Al/Al2O3 多层膜的有效方法。

Al/， Al2O3,，多层膜,，表面分析,，显微分析

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2009-08-17

【期刊论文】M0/Si和M0/84C软X射线多层膜的界面热稳定性研究*

薛钰芝，沈长斌，林纪宁，马月英，曹健林

真空科学与技术，1998，18（6）：409～414，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用磁控溅射法制备Mo/Si多层膜（周期为25nm，20层）和Mo/B4C多层膜（周期为3.9nm，121层），并在真空中加热30min，温度为200，400，600，800和1000℃。用小角X射线衍射法和透射电镜研究不同温度下（保温0.5h）加热的样品。实验结果表明，当加热温度达600℃时，Mo/Si多层膜周期被破坏。而Mo/B4C多层膜在800℃加热温度下仍保持周期性层状结构。说明Mo/B4C多层膜不仅周期只有3.9nm，而且具有很好的热稳定性，可以作为较短波长的软X射线多层膜推广应用。

软X射线,，多层膜,，热稳定性,，界面

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2009-08-17

【期刊论文】氢离子束对Mo-Si多层膜界面改性的研究

薛钰芝

真空科学与技术，1995，15（1）：31～35，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况，采用氢离子束（能量150 eV）轰击Si表面，即Si与Mo之界面。再用Kr离子束溅射刻蚀，并用俄歇电子能谱（AES）分析。实验结果说明氢离子束对Si表面轰击能有效防止界面混杂效应（intermixing effect）。进而说明这是制备软X射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。

Mo-Si多层膜,， H离子束,，混杂

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2009-08-17

【期刊论文】Enhanced x-ray optical contrast of Mo/Si multilayers by H implantation of Si

薛钰芝， R. Schlatmann， a A. Keppel， Y. Xue， and J. Verhoeven C. H. M. Mare

J.Appl.Phys. 1996, 80 (4): 2121-2126 ，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

To increase the x-ray optical contrast of Mo/Si multilayers, we study low energy hydrogen ion implantation of amorphous Si layers. Using elastic recoil detection and Rutherford backscattering spectrometry, we measure the result of hydrogen implantation on Si atomic density. We find a lowering of Si atomic density, and, thus, an enhancement of x-ray optical contrast, as a result of Himplantation. We find that the Si atomicdensitysaturates at a minimum of 6465% of the crystallinevalue. We have also observed aminorsmoothing effect of H1 ionbombardment. CombinedwithKr1ionbombardment, causing a very much larger smoothing of the Si surface, the atomic densityis found to saturate at a minimum of 7765%of thecrystallinevalue.

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2009-08-17

【期刊论文】Enhanced reflectivity of soft x-ray multilayer mirrors by reduction of oiatomio donoity

薛钰芝， R. Schlatmann， A. Keppel， Y. Xue， and J. Verhoeven， M. J. van der Wiel

J.Appl.Phys. 1996, 80 (4): 2121-2126 ，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

We report a significant increase of the reflectivity of a soft x-ray Mo/Si multilayer mirror after low energy hydrogenion beam bombardment of each of the Si layers after deposition.Cross section transmission electron microscopy pictures indicate no significant qualitative difference in interface roughness between the two samples. Elastic recoil detection and Rutherford backscattering spectrometry reveal a concentration of 22 at. % of H in the ion beam bombarded Silayers and a 12% reduction of the Si atomic density. Calculations using the measured atomic density and a very simple roughness model agree with the measured reflectivities.This is the first report of the modification of atomic density of Si in order to change the x-ray optical constants of the Silayer.