张玉明
(1)高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料(SiC);(2)模拟集成电路设计;(3)自旋电子学;(4)半导体器件模型和模拟;(5)半导体器件抗辐照加固技术。
个性化签名
- 姓名:张玉明
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
-
学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
-
学科领域:
微电子学
- 研究兴趣:(1)高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料(SiC);(2)模拟集成电路设计;(3)自旋电子学;(4)半导体器件模型和模拟;(5)半导体器件抗辐照加固技术。
张玉明,男,生于1965年5月,陕西白水人,博士(1998),教授(2001),全国重点学科微电子学与固体电子学博士导师(2002),西安电子科技大学微电子学院副院长,IEEE高级会员,IEEE ED西安分会秘书,中国电子学会高级会员,中国计算物理学会陕西分会理事,《中国物理快报》特约评审。
主要研究领域:(1)高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料(SiC);(2)模拟集成电路设计;(3)自旋电子学;(4)半导体器件模型和模拟;(5)半导体器件抗辐照加固技术。
发表论文100余篇,参与编写论著1部,曾获电子工业部科技进步奖三等奖2项,西安市科学技术进步一等奖1项,陕西省科学技术进步二等奖1项。获陕西省优秀留学回国人员称号(2001)。获第四届“陕西青年科技奖”。
-
主页访问
1628
-
关注数
0
-
成果阅读
116
-
成果数
2
张玉明, 张义门, 罗晋生
半导体学报,1999,20(11):1040~1043,-0001,():
-1年11月30日
本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂(P t)做肖特基接触在n型6H2SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析,I2V特性测量说明Pt/6H2SiC肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为1123,肖特基势垒高度为1103eV,开启电压约为015V。
-
48浏览
-
0点赞
-
2收藏
-
0分享
-
336下载
-
0评论
-
引用
张玉明, 张义门, 罗晋生
固体电子学研究与进展,2000,20(1):1~6,-0001,():
-1年11月30日
报道了多晶硅栅6H2SiCMOS场效应器件的制造工艺和器件性能。6H2SiC氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中,多余的C以CO的形式释放,铝元素逸出极少,氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大,SiC的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性,最大跨导为0.36mS/mm,沟道电子迁移率约为14cm2/V.s,但串联电阻效应明显。
碳化硅, 场效应晶体管, 器件工艺, 二次离子质谱分析
-
68浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
90下载
-
0评论
-
引用