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张德贤

薄膜光电子材料与器件，功能薄膜材料，有机聚合物光电材料与器件。

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姓名：张德贤
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职称：-
学科领域：

微电子学
研究兴趣：薄膜光电子材料与器件，功能薄膜材料，有机聚合物光电材料与器件。

个人简介

　张德贤，男，副教授。1982年毕业于南开大学物理系电子物理专业。多年从事液晶物理与液晶器件方面的研究，获省部级科技成果奖两项，发表相关论文十余篇。近年来在物理电子学和微电子学与固体电子学学科方向上进行应用基础研究和实验物理研究。
　　研究内容涉及到固体物理、非晶半导体物理、半导体器件物理、无机，有机材料科学、物理化学、真空科学与技术、计算机应用等多学科方面的基础知识。目前主要在薄膜光电子材料与器件、功能薄膜材料、有机聚合物光电材料与器件研究方向上指导硕士研究生。

个人主页：http://it.nankai.edu.cn/Teachers/introduce.asp?TID=zhangdx

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2010-01-04

【期刊论文】a-Si太阳电池p层微晶结构的研究

张德贤，郝国强，张延生，张存善

电源技术，2003，27（5）：450～461，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n（H2）/N（SiH4）=100, n（H2）/n（SiH4）=10]作为气相反应行驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出渗硼的非晶氢化奎宁薄膜。通过拉曼光谱、激活能测度、暗电导测试表明，高氢气稀释浓度的硅烷在一定的渗杂比时[n（B2H6）/n（SiH4）=1%]，沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构，暗电导率可达10-1Ω-1•cm-1，激活能可达0.2eV左右，接着又用uC-Si:H与传统所有的a-SiC: H分别做电池的p层，比较了二者的I-V特征，发现uC-Si:H作为电池的p层有更大的优越性。

化学气相沉积法，做晶氢化硅，转化效率，太阳电池

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2010-01-04

【期刊论文】PECVD法制备微晶硅薄膜的研究*

张德贤，蔡宏琨，郝延明，林列

功能材料，2004，35（增刑）：1938～1940，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）制备的微晶硅（uc-s1）薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究。从拉曼谱中可以明显看出，随着功率的增大，N型材料的非晶肩逐渐减小，材料的晶化率增大。随着温度的升高，P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低。

太阳电池，微晶硅，电导率，光学带隙

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2010-01-04

【期刊论文】P型微晶硅薄膜材料性能的研究

张德贤，蔡宏琨，冯凯，齐龙茵，王雅欣，孙云

人工晶体学报，2006，35（5）927～938，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（SC）的变化。采用x射线衍射仪（xRD），拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪（FTIR）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率（σa）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2.0%时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1.5%时，硼的掺杂效率最大，同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。

太阳电池，微晶硅，非晶硅

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2010-01-04

【期刊论文】RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究

张德贤，蔡宏琨，，何青，赵飞，陶科，席强，孙云

人工晶体学报，2007，36（3）：545～549，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用X射线衍射（XRD）技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率，控制薄膜的生长速率，已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试，随着反应功率的增加，硅基薄膜的生长速率不断提高，微晶硅薄膜的晶化程度不断增大。

X射线衍射(， xRD)，，氢化非晶硅(， a-Si:H)，薄膜，氢化微晶硅(， uc-Si:H)，薄膜，晶粒尺寸

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2010-01-04

【期刊论文】电子束低温蒸发ITO膜增透、增反特性研究

张德贤，齐龙茵，何俊峰，崔光龙，赵飞，刘召军，李胜林

真空，2006，43（6）：8～10，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本实验是在低温条件下，采用电子束蒸发制备ITO透明导电薄膜，通过监测电阻来控制薄膜的厚度，通过控制薄膜厚度研究了增透和增反两种效果的ITO膜的制备及膜的光学特性。当膜厚达170nm和83nm时透过率和反射率可达95%和6%。

ⅡTI，增透，增反，柔性衬底，电子束蒸发

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2010-01-04

【期刊论文】硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响**

张德贤，林列，蔡宏琨，孙云，郝延明**

光电子•激光，2003，14（11）：1146～1148，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对等离子增强化学气相沉积技术（PECVD）低温制备的非晶硅（a-Si）薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明：当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时，a-Si薄膜的暗电导率由10-5（Ω•cm）-1急剧增加到10-1（Ω•cm）-1；进一步增加B2H6/SiH4时，暗电导率增加缓慢；当B2H6/SiH4大于1.0%时，暗电导率急剧下降。对B2H6/SiH4为1.0%及1.2%的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明：采用B2H6/SiH4为1.2%的光电转换效率优于1.0%。

非晶硅(， a-Si)，薄膜，电导率，太阳电池

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2010-01-04

【期刊论文】柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池量子效率的研究

张德贤，薛颖，蔡宏琨，陶科，姜元建，赵敬芳，王林申，隋妍萍

人工晶体学报，2009，38（2）：407～415，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

量子效率是太阳电池对光的吸收能力的评定标准之一。本文通过对柔性衬底倒结构n-i-p非晶硅薄膜太阳电池量子效率的测茸，同时结合本征材料吸收特性，讨论了衬底温度和反应压强对太阳电池量子效率的影响。结果表明：本征非晶硅薄膜的吸收特性是影响太阳电池量子效率的主要因素，同时光生载流子在本征层和界面处的复合也会对太阳电池的量子效率有所影响。经过反应条件优化得到了转换效率为5.67%的聚酰亚胺衬底太阳电池。

柔性衬底， n-i-p太阳电池，量子效率，非晶硅薄膜

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2010-01-04

【期刊论文】柔性衬底太阳电池陷光结构的研究

张德贤，蔡宏琨，，隋妍萍，陶科，席强，薛颖，孙云

太阳能学报，2009，30（1）：1～4，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

讨论了粗糙聚酰亚胺（P1）衬底和具有较高粗糙度的背反射电极对柔性衬底薄膜太阳电池的影响。选择具有天然纹路的Pl作为太阳电池的衬底增加光在电池中的光程。采用热辐射加热蒸发方法显著提高铝背反射电极的粗糙度，它是常规方法制备的约4倍。粗糙PI和背反射电极形成的陷光结构使电池的短路电流提高了2mA/cm2，量子响应（QE）短波部分得到提高且最高点红移。经QE和原子力测试表明，电池效率提高的主要原因是粗糙的背反射电极导致面电极ZnO的形貌发生明显变化所致。

太阳电池，柔性衬底，陷光结构，粗糙度

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2010-01-04

【期刊论文】温度交变环境对薄膜太阳电池相关层材料性能的影响。

张德贤，郝延明，蔡宏琨，周严，林波，林列

功能材料，2004，35（增刑），1870～1872，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对玻璃衬底上采用PEcvD方法在低温条件下制备的太阳电池的各相关层材料的性质在经历一定的温度趸变周期以后的变化情况进行了研究。研究结果表明：（1）P、N层材料（uc-s1）在经历温度趸变试验过程以后，在测量误差范围内其光、暗电导率无明显变化，（2）I层材料（M-s1）在经历温度趸变试验过程以后，其光、暗电导率先略有增加（小于5个热循环周期时），之后（大于5个热循环周期时）基本保持恒定，（3）阻挡层zn0薄膜在经历温度趸变试验过程以后，其方块电阻不变但透射系数有所增加，反射系数基本不变，（4）电极IT0在经历温度趸变试验过程以后，其方块电阻不变但透射系数有所增力口。

薄膜太阳能电池，薄膜材料，温度

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2010-01-04

【期刊论文】用电子束蒸发法低温无损情况下在有机柔性衬底上制作IT0膜及其性能研究

张德贤，李胜林*，冯凯，刘浩然，刘国华

真空科学与技术学报，2004，24（4）：303～306，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜，需要在低温及无损伤（即避免离子轰击及热损伤等）情况下进行。为满足此要求，采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜，对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底温度对薄膜质量的影响进行了研究；对薄膜结构、表面形貌、电学及光学特性进行了检测。最后，在PI衬底上获得高质量ITO膜，其可见光透过率超过90%，电阻率低于5×10-4•cm。

ITO膜,，柔性衬底,，电子束蒸发