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刘扬

     

  

宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件,主要包括:1.材料生长的研究:采用MOCVD技术在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上进行GaN基(Al,In)GaN半导体材料外延生长的研究。2.材料物性的研究: 采用常规方法(XRD, PL, Hall, AFM, EPMA,SEM,TEM 等)对AlInGaN半导体材料或器件材料进行表征从而进一步指导材料生长和器件制作。3.器件研究:GaN基光电器件、GaN基电力电子器件的研究。

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  • 姓名:刘扬
  • 目前身份:
  • 担任导师情况:
  • 学位:
  • 学术头衔:

    博士生导师

  • 职称:-
  • 学科领域:

    微电子学

  • 研究兴趣:宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件,主要包括:1.材料生长的研究:采用MOCVD技术在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上进行GaN基(Al,In)GaN半导体材料外延生长的研究。2.材料物性的研究: 采用常规方法(XRD, PL, Hall, AFM, EPMA,SEM,TEM 等)对AlInGaN半导体材料或器件材料进行表征从而进一步指导材料生长和器件制作。3.器件研究:GaN基光电器件、GaN基电力电子器件的研究。
个人简介

刘扬,男,1969年8月生。现任中山大学物理科学与工程技术学院教授,博士生导师。1991年、1994年和2000年于吉林大学电子科学与工程学院微电子学和固体电子学专业分别获得学士、硕士和博士学位。主要从事宽谱高功率1.55微米量子阱InGaAsP/InP集成超辐射光源的研制的研究工作。

1994年9月至2001年10月,吉林大学通信工程学院,助教、讲师。从事光通信教学和科研工作。

2001年11月至2007年4月在日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心访问研究,主要从事GaN基材料的MOCVD法生长以及它在发光器件和电子器件方面的应用研究。

2007年5月至今,中山大学,教授。
 
承担课题:
中山大学百人计划引进人才研究项目
中山大学后备重点课题项目
 
获奖情况:
1999年参与完成的项目“AlGaAs超辐射发光管”,获得国家教育部颁发的科技进步三等奖。
2002-2004年日本学术振兴会(JSPS) Research Fellowship

研究方向:宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件

主要包括:
1.材料生长的研究:采用MOCVD技术在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上进行GaN基(Al,In)GaN半导体材料外延生长的研究。
2.材料物性的研究: 采用常规方法(XRD, PL, Hall, AFM, EPMA,SEM,TEM 等)对AlInGaN半导体材料或器件材料进行表征从而进一步指导材料生长和器件制作。
3.器件研究:GaN基光电器件、GaN基电力电子器件的研究。

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