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刘扬

     

  

宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件,主要包括:1.材料生长的研究:采用MOCVD技术在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上进行GaN基(Al,In)GaN半导体材料外延生长的研究。2.材料物性的研究: 采用常规方法(XRD, PL, Hall, AFM, EPMA,SEM,TEM 等)对AlInGaN半导体材料或器件材料进行表征从而进一步指导材料生长和器件制作。3.器件研究:GaN基光电器件、GaN基电力电子器件的研究。

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  • 张卫

    复旦大学

    从事集成电路工艺、半导体材料和器件的研究。

  • 马义德

    兰州大学

    信息传输与处理、计算机应用、数字图像处理技术、生物医学工程等

  • 张庆灵

    东北大学

    主要从事于微分代数系统的结构性质及其相关控制问题的研究。

  • 吴振强

    陕西师范大学

    网络安全与信息隐藏。

  • 刘兴钊

    电子科技大学

    BST铁电薄膜、半导体SiC外延薄膜、半导体低维结构等

  • 孙正兴

    南京大学

    多媒体计算、计算机视觉和智能人机交互等,重点研究面向普适计算的智能视觉环境及其交互技术

  • 张波

    电子科技大学

    长期从事功率半导体技术、电源管理IC及专用IC的教学、科研和人才培养。

  • 朱义胜

    大连海事大学

    通信与电路方面的教学和研究

  • 姓名:刘扬
  • 目前身份:
  • 担任导师情况:
  • 学位:
  • 学术头衔:

    博士生导师

  • 职称:-
  • 学科领域:

    微电子学

  • 研究兴趣:宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件,主要包括:1.材料生长的研究:采用MOCVD技术在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上进行GaN基(Al,In)GaN半导体材料外延生长的研究。2.材料物性的研究: 采用常规方法(XRD, PL, Hall, AFM, EPMA,SEM,TEM 等)对AlInGaN半导体材料或器件材料进行表征从而进一步指导材料生长和器件制作。3.器件研究:GaN基光电器件、GaN基电力电子器件的研究。
个人简介

刘扬,男,1969年8月生。现任中山大学物理科学与工程技术学院教授,博士生导师。1991年、1994年和2000年于吉林大学电子科学与工程学院微电子学和固体电子学专业分别获得学士、硕士和博士学位。主要从事宽谱高功率1.55微米量子阱InGaAsP/InP集成超辐射光源的研制的研究工作。

1994年9月至2001年10月,吉林大学通信工程学院,助教、讲师。从事光通信教学和科研工作。

2001年11月至2007年4月在日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心访问研究,主要从事GaN基材料的MOCVD法生长以及它在发光器件和电子器件方面的应用研究。

2007年5月至今,中山大学,教授。
 
承担课题:
中山大学百人计划引进人才研究项目
中山大学后备重点课题项目
 
获奖情况:
1999年参与完成的项目“AlGaAs超辐射发光管”,获得国家教育部颁发的科技进步三等奖。
2002-2004年日本学术振兴会(JSPS) Research Fellowship

研究方向:宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件

主要包括:
1.材料生长的研究:采用MOCVD技术在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上进行GaN基(Al,In)GaN半导体材料外延生长的研究。
2.材料物性的研究: 采用常规方法(XRD, PL, Hall, AFM, EPMA,SEM,TEM 等)对AlInGaN半导体材料或器件材料进行表征从而进一步指导材料生长和器件制作。
3.器件研究:GaN基光电器件、GaN基电力电子器件的研究。

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