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杨林安

     

  

半导体太赫兹(THz)关键技术与机理;SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。

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  • 姓名:杨林安
  • 目前身份:
  • 担任导师情况:
  • 学位:
  • 学术头衔:

    博士生导师

  • 职称:-
  • 学科领域:

    微电子学

  • 研究兴趣:半导体太赫兹(THz)关键技术与机理;SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。
个人简介

杨林安教授,博士生导师,博士学位,1966年出生。2007年~2008年在日本德岛大学做高访合作研究,主要从事宽禁带半导体材料和器件工艺的研究。
 
主持和参与了国家863高科技VLSI重大专项课题、国防科技预先研究、国家自然科学基金等项目。发表论文30余篇。

研究方向:
半导体太赫兹(THz)关键技术与机理
SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。

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