杨林安
半导体太赫兹(THz)关键技术与机理;SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。
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- 姓名:杨林安
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
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学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
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学科领域:
微电子学
- 研究兴趣:半导体太赫兹(THz)关键技术与机理;SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。
杨林安教授,博士生导师,博士学位,1966年出生。2007年~2008年在日本德岛大学做高访合作研究,主要从事宽禁带半导体材料和器件工艺的研究。
主持和参与了国家863高科技VLSI重大专项课题、国防科技预先研究、国家自然科学基金等项目。发表论文30余篇。
研究方向:
半导体太赫兹(THz)关键技术与机理
SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。
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【期刊论文】An improved substrate current model for ultra-thin gate oxide MOSFETs
杨林安
,-0001,():
-1年11月30日
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【期刊论文】An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFET’s
杨林安
,-0001,():
-1年11月30日
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杨林安
,-0001,():
-1年11月30日
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【期刊论文】Channel resistance method for parameter extraction of ultra-thin gate oxide LDD MOSFET’s
杨林安
,-0001,():
-1年11月30日
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