盛况，1974年10月出生，教授、博士生导师，现任浙江大学电气工程学院院长。其参与完成的“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”项目获得国家技术发明奖二等奖。   
 
1995年获浙江大学电力电子技术学士，1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士，1999-2002年任英国剑桥大学博士后，2008年获美国Rugters大学终身教职；2009年回国任浙江大学电气工程学院教授、博导，创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。

长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用。承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。相关成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文200余篇，引用次数2700次以上，获授权专利20余项（40余项申请中），2010年获浙江省自然科学二等奖，2019年获国家技术发明二等奖（排名第二）。

主要兼职：
2015年国际功率器件及集成电路年会（ISPSD）技术委员会主席、2019年国际功率器件及集成电路年会（ISPSD）大会主席；IEEE高级会员、中国电源学会常务理事、元器件专委会副主任；IEEE Transactions on Power Electronics 和IEEE Transactions on Industrial Applications的Associate Editor。