姜胜林
PTC陶瓷材料的产业化方面
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- 姓名:姜胜林
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
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学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
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学科领域:
材料合成与加工工艺
- 研究兴趣:PTC陶瓷材料的产业化方面
姜胜林(申请者),37岁,博士,华中科技大学电子科学与技术系教授,教育部敏感陶瓷工程中心副主任,信息功能薄膜研究所所长,中国宇航学会光电专业委员会委员,中国材料研究学会高级会员,中国电子学会高级会员,中国青年科协新材料委员会会员。1992-1995年在华中理工大学师从张绪礼教授攻读硕士学位,从事压电、铁电材料的研究;1995年硕士毕业留校工作,并师从周东祥教授攻读博士学位,从事BaTiO3半导瓷改性机理及高性能材料研究,获微电子学与固体电子学博士学位后于2001.4-2002.9到国家计委高技术产业发展司工作(借调),参与国家高技术产业项目的组织管理工作。自参加工作以来,完成了国家自然科学基金、国家“863”、国家科技攻关及横向科研合作项目20多项,并在PTC陶瓷材料的产业化方面取得了好成绩,为电子元器件的国产化作出了贡献。相关科研成果获得多项奖励,其中“高性能PTC热敏陶瓷材料的成套技术开发”获国家科技进步二等奖,“半导瓷结构、物性机理研究”获湖北省自然科学一等奖,“半导体陶瓷中的载流子迁移及与材料电学特性的关系研究”获教育部自然科学一等奖。在有关刊物上发表学术论文60篇,其中SCI收录10篇,Ei收录22篇,申请专利5项,获国家发明专利一项。
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姜胜林, 林汝湛, 曾亦可, 刘梅冬
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2005, (1): 102~106,-0001,():
-1年11月30日
应用新型溶胶凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响。结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7So2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550~950℃)基本上没有焦绿石相形成。当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部较变为稳定性好的尖品石相,同时存在Bi2O3、ZuOr的挥发。采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO隐瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5µA/mm2.
无机非金属材料,, 新型溶胶-凝胶法,, 退火温度,, ZnO陶瓷薄膜,, 低压压敏特性
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姜胜林, 龚树萍, 周莉, 周东祥
PIEZOELECTRICS & ACOU STOOPTICS, 2000, (6): 392~394,-0001,():
-1年11月30日
以Sb2O3单施主和Y2O3+Nb2O3双施主作为半导化元素。对低阴BaTiO3半导体陶瓷的PTCR特性进行了研究,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率PTC陶瓷材料。室温电阻率P25=4·49Ω·an。温度系数α=6.04×10-2℃-1,升阻比B=1.0×103,对低阻PTC材料进行了探讨。
双施主, 低阻PTC材料, 掺杂方式
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姜胜林, 张绪礼, 王筱珍, 万向红
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS, 1995, (4): 26~29,-0001,():
-1年11月30日
以改性PbTiO3压电陶瓷的结构为基础,对其各向异性进行了探讨,认为产生大的压电各向异性在于其钙钛矿结构ABO3中A位取代离子的特定离子半径和电子态。并依据一些实验现象进行了分析。
各向异性,, PbTiO3,, 压电陶瓷,, 钙钛矿结构,, 离子半径,, 电子态
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【期刊论文】改进sol2gel技术BST薄膜的制备及性能研究X
姜胜林, 曾亦可, 刘少波, 刘梅冬
,-0001,():
-1年11月30日
为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶2凝胶(sol2gel)方法在PT/TI/SIO2/SI基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明。当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料。SBM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善。得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405介电损耗为0.011。剩余极化强度为Pr=2.3uC-2,矫顽场为Ec=45kV/cm.
改进sol2gel方法, BST薄膜, 电性能
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姜胜林, 周东祥, 付明, 苏力农
传感器技术(Journal of Transducer Technology), 2000, (2): 52~56,-0001,():
-1年11月30日
针对冰箱马达启动器用PTCR工作时独特的电流时间特性。选用8098准16位单片机为核心,组成测试系统,对系统的软硬件进行了分析。该测试系统能准确检测冰箱马达启动器用PTCR的常温电阻、动作时间、恢复时间和耗散功率。
8098单片机, 马达启动器, 综合参数测试, 正温度系数热敏电阻器
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姜胜林, 曾亦可, 刘少波, 刘梅冬
J. Huazhong Univ. of Sci. & Tech. (Nature Science Edition), 2003, (10): 22~25,-0001,():
-1年11月30日
为了制备高性能铁屯薄膜红外探测器,对Si微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究。利用Si基片各向异性腐蚀特性,在四甲基氢氧化铵(简称TMAH)水溶液中加入氢氧化钾(KOH)作为各向异性腐蚀液(简称KTMAH),研究了TMAH与KOH摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响,结果表明:Si(100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大,随着TMAH与KOH摩尔比的降低,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧。选取用5g/L的过硫盐(PDS)GN TMAH质量分数为25%、TMAH与KOH摩尔比为2的KTMAH混合液作为腐蚀液,并在80℃×2.5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面,可以制备质量较好的微桥结构。
Si基片各向异性, 腐蚀特性, KTMAH腐蚀液
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姜胜林, 龚树萍, 周东祥, 曾少敏
,-0001,():
-1年11月30日
研究了PTCR过流保护器在电流作用下的失效模式、失效规律和失效机理,指出了PTCR过流保护器的主要失效模式为热冲击作用下的热碎裂,元件的冲击特性与常温电阻值、样品尺寸以及电流冲击次数有很大关系。通过运行和推理,推荐最佳的TC=90℃,R25=188±20%,芯片尺寸为<618mm×116mm,烧成条件为1320~1340℃,保温1~2h。对产品设计和元件和筛选有指导意义。
PTCR过流保护器, 失效模式, 冲击特性
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【期刊论文】PbTiO32Pb (Cd13Nb23)O3系高温高频压电陶瓷材料的研制X
姜胜林, 周东祥, 龚树萍, 付明
,-0001,():
-1年11月30日
对(1-x) PbTiO2+xPb(Cd13Nb23)O3系压电陶瓷材料进行了研究。实验结果指出,当x=0.14时,掺入适量的改性添加物Nio,MnO2,WO3,经过适当的工艺过程,可得到压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料。其中材料的居里温度Tc>400℃,机械品质因数Qm>2000,机电耦使系数K:可达0.45,介电常数E小于210,是一种很有前途的高温高频压电陶瓷材料。
压电性能 高温高频压电陶瓷材料 改性添加物NiO,, MnO2,, WO3
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姜胜林, 姜胜林*, 张绪礼, 王筱珍, 万向红
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS, 1996, (1): 58~61,-0001,():
-1年11月30日
研究了Cr2O3作为改性添加剂对(PbSm)(TiMn)O3系压电陶瓷介电及压电性能的影响实验表明,添加适量的Cr2O3能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料,其k=45%~50%, k1/k1=15~18, TCƒ2=-0.8~-6ppm/℃,因此,在研究、开发高性能压电材料过程中,Cr2O3不失为一种优良的改性材料。
(, PbSm), (, TiMn), O3压电陶瓷,, 压电各向异性,, 压电稳定性,, 改性添加剂
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