吴顺华
电子信息材料与元器件
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- 姓名:吴顺华
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
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学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
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学科领域:
材料科学
- 研究兴趣:电子信息材料与元器件
吴顺华,女,1970年毕业于天津大学无线电工程系,教授,博导,长期从事电子信息材料与元器件的研究工作。近年来承担国家高新技术九五攻关等项目近十项,其中两次达到国际先进水平。所负责的项目曾获教育部科技进步奖二等奖,天津市科技进步奖三等奖。曾组织编写一部研究生用教材《晶体物理学》(本人编写约十万字)由电子工业出版社出版。2002年在英国曼彻斯特大学等地考察并参加在约克举行的微波材料及其应用的国际会议(MMA2002),发表了论文。2003年被美国著名刊物Journal of Materials Research邀请作评审专家。已在国内外刊物上发表论文近50篇,其中多篇被SCI EI等检索
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吴顺华, 王国庆, 赵玉双, 张志萍
无机材料学报,2004,19(1):214~222,-0001,():
-1年11月30日
建立三维模型,用蒙特卡洛有限元法对两相复合介质的内部电场分布进行模拟,并由此计算出介质的宏观介电常数εm。发现由三维模型计算出的低介相中的电场能量占总能量的比例高于二维模型。三维模型符合实际复合介质中微粒间并联程度大于串联程度的事实,因此由三维模型得出的电场分布和εm值比二维模型更加精确。得出了新的两相复合介质宏观介电常数预测公式:εαm=V1εα1+V2εα2,其中α=(V21+20V1V2+5V22)/111V1+V2=1,ε1<E2。该公式与若干文献中的实验结果相吻合。
复合介质, 蒙特卡洛法, 有限元法, 混合定律
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【期刊论文】无压渗透法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的研究*
吴顺华, 石锋, 钱端芬
天津大学学报,2003,36(4):418~423,-0001,():
-1年11月30日
利用无压渗透法制备出SiCp/Al复合材料,研究了SiCp/Al系统的界面微观结构及复合材料的机械性能。研究表明:SiCp/Al系统的界面处存在着界面反应,生成Si、Al2O3和Al3C4等产物,在界面处存在着Si和Mg元素的富集;复合材料的机械性能受界面反应和Si元素富集的影响,其中界面反应是最重要的影响因素。当界面反应控制在一定程度时,在基体与增强相的界面处形成比较充分的“机械绞合”,才会使复合材料的机械性能有较大提高。界面上Si元素的富集对机械性能的影响较为复杂,一方面它可以控制界面反应的过度发生,另一方面又会产生晶格畴变,这两方面效应的叠加,使之对复合材料机械性能的影响减弱,远小于界面反应对机械性能的影响。
无压渗透法, SiCp/, Al复合材料, 界面反应, 微观结构, 机械性能, Si元素富集
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【期刊论文】BaO-TiO2 microwave ceramics
吴顺华, Shunhua Wu *, Guoqing Wang, Yushuang Zhao, Hao Su
Journal of the European Ceramic Society 23(2003)2565-2568,-0001,():
-1年11月30日
In this paper, the structure and ielectric properties of BaO-TiO2 system ceramics were studied. By adding ZnO and Nb2O5 as sintering agents to the raw materials, the BaO-TiO2 system ceramics were sinteredat a temperature of 1260℃ for 2 hand have superior dielectric properties at 1 GHz: quality factor Q=12,500, relative dielectric constant "r37, temperature coefficient of dielectric constant "=0.30 ppm/℃. XRD pattern shows that the main crystal phase of the ceramics is Ba2Ti9O20, accompanied by a small number of additional phases: BaTi4O9, Ba4Ti13Zn7O34, Ba4Ti13O30 andTi 2Nb10O29, etc. The initial Ba/Ti ratio has a great effect on the dielectric properties of the ceramics, which can be explained by the variance in the formation of phases due to different Ba/Ti ratios.
Dielectric properties, Microwave ceramics, Sintering, X-ray methods, BaO-TiO2
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【期刊论文】(Zr0.7Sn0.3) TiO4陶瓷介电性能与工艺参数关系的回归分析
吴顺华, 王国庆, 赵玉双, 刘丹丹
无机材料学报,2003,18(4):892~898,-0001,():
-1年11月30日
用回归分析方法得到了(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷的介电性能ε和δ与其工艺参数(CuO、ZnO)和玻璃的添加置(分别为x1、x2、x3 wt%)及预烧和烧结温度(分别为x4×103和x5×103℃)之间的定量关系:ε=10.9731-1.4559x+9.9154x2+1.9776x3-3.3160x22-0.2286x23-200.1697x24-161.9102x25+375.1160x4x5;Ig(tanδ)=-38.5876-0.6452x2+0.1235x3+31.2221x4+30.3861x5+0.1100x21+0.2077x22-0.0106x23-27.4317x4x5。能对给定工艺参数下的介电性能进行预测,并能确定满足特定介电性能的工艺参数,有助于加快电子陶瓷材料的研究。
回归分析, (, Zr0., 7Sn0., 3), TiO4, 介电性能
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【期刊论文】(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷介电性能研究
吴顺华, 刘丹丹, 王伟
硅酸盐学报,2004,32(6):679~683,-0001,():
-1年11月30日
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B'1/3B''2/3)03(A=Ba,Sr;B'=Zn,Mg;B=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种。A位由sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。sr含量z≥0.6时发生相转变,形成一种新的低温相,这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成,可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度,在1500℃即可烧结致密(BMT为1600℃)。BSMT的微观结构和介电性能(如介电常数ε和介电常数温度系数αε)的变化也与此相转变有关。
复合钙钛矿化合物, 低温相, 微观结构, 介电性能
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【期刊论文】Sn-doped BaO-TiOz-ZnO microwave ceramics
吴顺华, Wu Shunhua, Wang Guoqing, and Zhao Yushuaag
J. Mater. Res., Vol. 17, No. 6, Jun 2002,-0001,():
-1年11月30日
Sn-doped BaO-TiO-ZnO (BTZ) microwave ceramic materials were investigated as a unction of SnO2 eontent. Addition of a small amounl of SnO2 (0.01-0.06 wt%) owered the sin(cring temperature of the system to 1160℃ and also greatly reduced he dielectric loss (tail δ), which is closely related to the insulation resistivity The n-doped BTZ materials were found to have excellent dielectric properties at 1 GHz ith dielectric constant e=36. loss tangent tan δ≤1×l0-4, lemperature coefficienl of dielectric constant, α, =0±30ppm/℃, and volunme resistivty pg≥1013Ωcm.
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【期刊论文】Fe, Ni掺杂(Zr, sn)TiO4陶瓷的结构和介电性能
吴顺华, 陈力颖, 董向红
无机材料学报,2002,17(3):504~508,-0001,():
-1年11月30日
用电子陶瓷工艺制备主晶相为(Zr,Sn)TiO4的介电陶瓷,(Zr,Sn)TiO4的结构属正交晶系,空间群Pbcn。研究用Fe,Ni掺杂对(Zr,Sn)TiO4陶瓷的介电性能的影响:铁掺杂降低了瓷料的烧结温度。同时减小了系统的Q值(Q=1/tgδ);但在一定的范围内,随着Ni掺杂量的增大,Q值的下降被抑制,这可能是因为Ni离子阻碍了Fe离子扩散进入晶粒,使得Fe离子富集在晶界上,形成Fe-Ni尖晶石结构,减少了Fe对Q值的影响。
(Zr,, Sn), TiO4, 介电性能, Ni掺杂, Fe掺杂
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吴顺华, 陈力颖, 陈晓娟, 赵玉双, 张志萍, 熊文
硅酸盐学报,2001,29(1):80~83,-0001,():
-1年11月30日
用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9(BT4)的介电陶瓷,研究用锰掺杂的BaTh09陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi409属正交晶系,空间群pmmn,晶格常数为α=1.453nm,b=0.379nm,c=0.629 nm,每个原胞有两个分子,钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值,在1 M14z下测得的Q值为12500而没有掺杂的陶瓷有高的损耗,这可能是由于在空气中烧结时形成Ti3+,显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂,依据反应:Mn3+Ti3+→Mn2++Ti4+,可能有助于Ti4+的形成。Bari4O9陶瓷具有优良的介电性能:低介质损耗、中等介电常数和低的介电常数温度系数此种陶瓷制造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域。
介电性能, 锰掺杂, 主晶相, 四钛酸钡
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吴顺华, 李辉亮, 吴国桥, 董向红
天津大学学报,1997,30(5):653~657,-0001,():
-1年11月30日
用普通的电子陶瓷工艺制备了PbO-SrO-BaO-Nb,Os(PSBN)系统铁电陶瓷,研完了PSBN系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系。XRD分析表明:PSBN系统铁电陶瓷的主晶相是Pb0.7Ba0.3Nb2O6(PBN)、Sr0.5Ba0.5Nb3O6(SBN)和Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78(BSN)将这一个复杂的化学系统看作三元素固熔体,其中PBN、SBN和BSN各相比倒随烧结温度的不同而变化,引起PSBN系统电性能的变化。当烧结温度升高时,介电系统增大,居里温度向负温方向移动。
烧结, 铁电陶瓷, 介电性能
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吴顺华, 李辉亮, 王洪儒, 张志萍
科学通报,1996,41(5):468~470,-0001,():
-1年11月30日
钨青铜结构, 铌酸盐, 铁电材料, 铁电陶瓷, 制备, 中温烧结绕成
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