
-
北京交通大学
-
北京邮电大学
-
东南大学
-
北京邮电大学
-
浙江大学
主要研究方向为现代控制理论与应用,包括时滞系统控制理论与应用,非线性系统控制理论与应用,鲁棒控制理论与应用,预测控制理论与应用,PID自整定算法研究,混杂动态系统建模、分析与综合,复杂工业过程先进控制和优化技术、软件开发与应用等。
-
天津大学
-
天津大学
-
福州大学
-
武汉理工大学
-
东北大学
-
电子科技大学
-
天津大学
-
南开大学
声光学和声光信号处理、声表面波器件研究、声光双稳态和声光矩阵运算、新型多维和多通道声光器件、全光纤声光调制器和移频器、新型波分复用全光纤声光器件、光纤通信和光纤传感、无线网络通信系统等
-
南开大学
-
上海交通大学
-
东南大学
-
中国海洋大学
基于多幅图像或视频的三维重建、基于机器视觉的产品检测、纹理编辑与合成、基于计算机视觉技术的面部特征检测、细胞分裂检测、可视化仿真、基于图像的绘制等内容。应用领域主要涉及产品表面设计、影视特效制作、电子游戏、虚拟现实以及基于纹理的流场可视化等技术等。
-
北京交通大学
-
北京理工大学
-
重庆大学
-
河南科技大学
-
北京师范大学
-
东南大学
-
天津大学
本专业研究方向:信息管理与电子商务、数据挖掘与商务智能、进化计算理论与应用。 MBA研究方向:电子商务,信息技术企业发展战略,企业信息化战略与规划,企业信息化 绩效评估。 MPA研究方向:电子政务,政府信息管理,政府信息化绩效评估。 工程硕士研究方向:信息系统工程,企业信息化,ERP和DSS。
-
大连理工大学
-
北京邮电大学
高速光子网络及高速光信息处理器件及技术的研究,专长于光突发交换技术、光分组交换技术、全光信息处理技术、超高速光时分复用网络及系统、短脉冲技术、光纤传输技术、光孤子技术、光纤中超快非线性现象、高速半导体激光器及调制器技术、光波导器件技术等。
-
东北大学
长期从事计算机软件产品的研究、开发和产业化工作,研究与开发领域先后涉及数据库管理系统、嵌入式软件、分布式对象与组件、工作流、Internet计算与Pervasive 计算、信息安全、中间件以及软件工程技术。
-
东南大学
计算电磁学、快速算法研究、大型军用目标的电磁仿真、电磁逆散射与微波成像、埋地散射体的探测与成像、微波毫米波天线与电路的全波分析、大规模集成电路的封装与互连、信号完整性研究、电磁理论及异向媒质的研究等。
-
复旦大学
-
上海交通大学
-
清华大学
-
复旦大学
-
东南大学
目前的研究方向包括电子信息学科领域内的数字无线电、数字电视、移动通信和互联网无线接入等系统的射频集成电路以及光通信用超高速集成电路,以受损脊髓神经功能恢复为目标、跨学科的“微电子神经桥”系统研究与动物实验。
-
浙江工商大学
-
西安交通大学
-
复旦大学
-
大连理工大学
决策分析与计算机决策支持系统;计算机系统中的人机协同工作与认知工效学;软计算(包括模糊逻辑、人工神经网络、进化算法等)的方法与复合人工神经网络研究;多媒体技术在人的认知过程以及人机交互过程中的应用研究等。
-
上海交通大学
-
东北大学
-
西安交通大学
-
北京交通大学
-
天津大学
-
昆明理工大学
-
电子科技大学
-
北京师范大学
-
宁波大学
-
南京邮电大学
-
吉林大学
-
东南大学
-
东北大学
-
西安电子科技大学
-
东北大学
-
山东大学
-
天津大学
-
北京大学
高K栅介质/金属栅材料与CMOS器件集成技术;超深亚微米器件模型、结构和集成技术(包括应力Ge-和Si-MOSFET);ULSI互连集成技术;新型存储器(FeRAM/MRAM)技术;自旋电子学材料、器件、工艺技术等。
-
安徽大学
-
清华大学
-
北京邮电大学
-
上海海事大学
-
天津大学
-
中国石油大学(华东)
-
同济大学
-
上海交通大学
-
南京航空航天大学
-
北京大学
-
东南大学
-
北京大学
-
复旦大学
-
武汉大学
-
武汉理工大学
-
上海大学
-
电子科技大学
-
高级
(1)有机发光显示器件,照明用白光有机发光二极管,红外光通讯有机光子器件;(2)有机开关存储器,有机晶体管;(3)载流子在有机半导体中的注入和传输,有机半导体的瞬态电致发光和载流子复合过程动力学,有机半导体的电子理论。
-
哈尔滨工程大学
-
南京航空航天大学
-
北京理工大学
-
清华大学
从事集成电路(IC)设计研究,包括:基于门阵列(GA)、标准单元(SC)和功能块(BB)的专用集成电路(ASIC)设计方法;库开发技术;系统的芯片集成(System on-a-Chip);算法的硬件架构与实现;超大规模集成电路-数字信号处理(VLSI-DSP)在多媒体信号(语言、音频、图象、视频)处理和信息安全领域的应用等等。
-
电子科技大学
-
哈尔滨工程大学
-
清华大学
计算智能与机器学习,包括模糊神经网络、再励学习机制、异步自学习控制理论、进化计算(如粒子滤波器、免疫算法)、SCFG文法模型、HMM概率模型、Bayesian网络、模糊动态规划等;虚拟现实技术与系统,包括通用虚拟现实软件开发平台、分布式虚拟现实、HLA高层体系结构、交互式网络游戏、具有真实感的自动曲面重构等;机器人技术;计算生物学,包括基因预测、RNA折叠、系统生物学(如基因调控网络);复杂网络理论;网络非线性动力学;无线传感器网络等。
-
西安电子科技大学
-
中国石油大学(北京)
1 控制理论与控制工程学科:A 线性和非线性系统全息预测控制理论研究;B 状态观测器与随机非线性控制研究。2 电力电子与电力传动学科:A 电力系统孤岛运行研究;B 电力系统非线性控制与稳定(励磁与FACTS)研究;C 无功补偿和谐波抑制研究;D 双馈电机控制与稳定;F 电力系统负荷预测。3 检测技术与自动化装置学科:A 电力电子及其在油田中的应用研究;B 油田抽油机节能控制装置研究;C 油田电脱水高压高频脉冲电源研究;D 石油管路电磁感应加热系统研究。
-
西安交通大学
-
电子科技大学
-
西安工业大学
-
北京大学
-
清华大学
-
大连理工大学
-
北京航空航天大学
-
清华大学
-
清华大学
-
大连理工大学
-
大连理工大学
信息系统工程,包括:复杂系统分析与综合建模。系统的复杂关系分析,建立定量定性综合模型(原模型); 广义信息理论研究与应用。知识网络与管理,系统软集成方法,电子商务开发与应用;经济管理策略。经济管理动态系统分析,经营管理组织学习与战略决策。
-
华中科技大学
主要从事成像精确制导、数字图像/视频压缩、医学影像分析、生物特征识别、车牌识别、工业检测、综合测试与控制以及高速信号处理系统等应用领域涉及的算法设计与仿真、系统体系结构以及应用系统优化方面研究和开发工作
-
大连理工大学
1、神经网络理论与应用研究:新型神经网络模型和学习算法的设计与分析,强化学习算法研究(Reinforcement learning),侧重神经网络在自适应信号处理、统计估计及模式识别领域的应用研究。2、数字图像处理与识别:以计算机自动识别为目的的数字图象处理与识别的理论方法及其应用研究。现阶段侧重在“人脸识别”和“指纹识别”及“图像处理与识别中的关键技术及其应用”等领域的研究。3、智能交通系统(ITS)中交通信息获取、目标识别与跟踪技术:侧重基于RFID技术原理的交通信息获取、目标识别及目标跟踪的关键技术研究, ITS中通信协议的设计与实现的关键技术研究。4、通信信号处理:现阶段侧重于3G和B3G中MIMO信道均衡及系统仿真技术的研究。
-
中南林业科技大学
-
北京科技大学
从事大型和巨型计算机体系结构研究和工程设计(1957-80), 并行算法(1973至今), 机器翻译(1980至今), 人类智能及其模拟和应用(1980至今)和网络安全(2000-02).
-
东北大学
一直从事下一代网络、IP/DWDM光Internet、移动无线Internet、宽带卫星Internet、分布式多媒体等方面的研究工作,主攻网络服务质量QoS控制、网络资源管理、组播等。
-
北京邮电大学
-
华北电力大学(保定)
-
复旦大学
计算机辅助软件工程(CASE)工具和环境,面向对象技术软件复用技术,基于构件的软件工程CBSE,软件过程工程,软件测试技术,软件度量,软件应用技术,包括管理信息系统,超媒体系统,高精度中文排版系统等。
-
清华大学
-
华东师范大学
-
中国人民大学
-
西安交通大学
-
同济大学
-
中国人民大学
-
南京大学
致力于研究计算机系统风险分析,可信计算,可信操作系统理论与开发,可信操作系统的形式化描述与验证,计算机主机系统与网络系统的行为监控,密码技术与PKI 技术应用、电子政务与电子商务安全等。
-
东南大学
-
成都信息工程大学
-
合肥工业大学
容错计算、数字系统设计自动化、系统芯片SoC的综合与测试、内建自测试(BIST)的高级应用、自动测试模式生成(ATPG)算法、高可靠性的工业控制计算机研究与开发,以及分布式控制系统等。
-
南京航空航天大学
-
西南民族大学
-
成都信息工程大学
-
成都信息工程大学
-
成都信息工程大学
-
西南民族大学
-
烟台大学
-
暨南大学
-
华南理工大学
长期从事计算机系统结构、计算机外存储系统、嵌入式系统、智能I/O系统、计算机产品开发与应用等方面的科研与教学工作,在计算机系统结构、智能网络存储、嵌入式系统、计算机设备研制等软件及硬件方面有较深入的研究。
-
武汉理工大学
-
南京邮电学院
-
武汉大学
-
南京邮电大学
-
南京邮电大学
-
苏州大学
-
中南大学
-
南京邮电大学
-
南京邮电大学
-
南京邮电大学
-
南京理工大学
-
苏州大学
-
清华大学
-
清华大学
-
天津大学
-
天津大学
-
南开大学
-
天津大学
-
南京邮电大学
-
南京信息工程大学
-
高级
-
电子科技大学
-
江南大学
-
中山大学
-
北京工业大学
-
电子科技大学
-
西南大学
-
河北工业大学
-
陕西师范大学
-
北京工业大学
-
陕西师范大学
-
北京工业大学
-
北京工业大学
-
首都师范大学
-
中国地质大学(北京)
-
河北师范大学
-
河北工业大学
-
燕山大学
-
南开大学
-
北京化工大学
-
厦门大学
复杂系统的建模与仿真、生产调度优化、系统分析、决策支持、系统评估预测;过程控制与管理系统的动态集成、现代物流信息系统、计算机控制应用系统、MRPII/ERP/URP企业信息管理系统及辅助定制开发工具;数据挖掘技术、地理信息系统建模工具、网络环境下的信息综合与处理;先进控制的研究与应用、生物信息特征提取和位点识别以及原子限度的陶瓷材料仿真等多学科的国际合作研究。
-
河北工业大学
-
北京邮电大学
-
清华大学
-
清华大学
-
清华大学
-
清华大学
-
清华大学
-
清华大学
-
南开大学
-
南开大学
-
国防科技大学
-
哈尔滨工业大学
-
南开大学
-
南京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京邮电大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
北京交通大学
-
上海交通大学
-
上海交通大学
-
山东大学
-
北京交通大学
-
中国地质大学(武汉)
-
中国传媒大学
1)多媒体信息处理技术,主要研究包括图像、视频、音频等媒体内容管理的关键处理技术,如内容提取技术、内容检索技术、内容分析技术、内容监控技术、内容识别技术等。2)高维索引技术,主要研究海量媒体数据的快速索引结构及并行实现方法。
-
浙江大学
主要研究专长为计算机辅助设计、计算机动画与数字娱乐、人工智能/认知科学。目前从事动作捕捉技术及计算机动画,计算机辅助美术动画的绘制等方面的基础研究工作,以及网络游戏引擎、鞋类产品的个性化设计系统的研制和开发。
-
南京理工大学
-
北京师范大学
-
北京师范大学
-
北京师范大学
-
北京师范大学
-
北京师范大学
-
北京师范大学
-
中国石油大学(华东)
-
北京师范大学
-
北京师范大学
-
武汉大学
-
北京师范大学
-
湖南大学
-
大连理工大学
-
北京航空航天大学
-
北京师范大学
-
北京师范大学
-
武汉理工大学
-
上海大学
-
四川大学
-
大连理工大学
-
山东大学
-
南京大学
-
西安交通大学
-
华东师范大学
数据管理与信息系统,包括:Web数据管理、中文Web基础设施、Web搜索与挖掘;数据流与数据挖掘、复杂事件处理与实时商务智能、不确定数据管理及其应用;数据密集的计算、分布存储与计算、对等计算系统及其数据管理、Web服务计算
-
北京交通大学
-
华中科技大学
微电子学与固体电子学专业/微电子材料与器件方向; 电子信息材料与元器件专业/信息存储材料与器件方向; 材料物理与化学专业/半导体材料与器件方向; 半导体芯片系统设计与工艺专业/小尺寸半导体器件方向; 光学工程专业/光电信息存储方向
-
天津大学
-
上海交通大学
-
东南大学
-
华东理工大学
-
重庆大学
-
天津职业技术师范大学
-
清华大学
1.数字几何处理(小波变换及多分辨率几何造型);2.真实感图形实时绘制、动画与虚拟现实;3.组合显示/多投影组合显示墙;4.计算机视觉、图像处理与可视化;5.计算机网络图形及其并行计算技术;6.CAD/CAM等。
-
湖南第一师范学院
-
湖南大学
-
华南理工大学
-
上海交通大学
主要研究领域包括面向方面软件开发(Aspect-Oriented Software Development),高可靠软件系统的构建、软件体系结构、软件测试、软件理解与维护、软件系统的复杂性度量、软件系统的验证、程序语言设计与实现、编译优化等。
-
厦门大学
-
广东工业大学
-
北京师范大学
-
天津大学
-
大连理工大学
-
西安电子科技大学
-
东南大学
-
南京航空航天大学
(电磁)传感器和智能仪器,无损检测及评估(NDT&E), 故障诊断技术, 图像处理及微机电系统, Structural Health Monitoring, 可靠性(reliability), 安全与防护技术(safety and security)。
-
武汉大学
-
天津大学
-
武汉大学
-
北京航空航天大学
-
安徽大学
-
河海大学
-
北京理工大学
-
天津大学
-
中国传媒大学
-
清华大学
-
中山大学
数字媒体智能处理和信息挖掘,计算摄影学(Computational Photography),视频图像 理解与分析,视频数据压缩、编码和通信。其中包括图像增强、图像分析、图像识别、运动预测、运动补偿等。
-
合肥工业大学
-
西安电子科技大学
-
北京大学
-
南京航空航天大学
-
中山大学
宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件,主要包括:1.材料生长的研究:采用MOCVD技术在硅、蓝宝石、碳化硅衬底上进行GaN基(Al,In)GaN半导体材料外延生长的研究。2.材料物性的研究: 采用常规方法(XRD, PL, Hall, AFM, EPMA,SEM,TEM 等)对AlInGaN半导体材料或器件材料进行表征从而进一步指导材料生长和器件制作。3.器件研究:GaN基光电器件、GaN基电力电子器件的研究。
-
南京师范大学
-
北京交通大学
-
浙江大学
主要研究方向为计算机体系结构、嵌入式系统、软件节能,研究了多核/众核系统结构、嵌入式处理器、FPGA可重构处理器、低功耗设计等处理器设计方法;Bootloader、操作系统、编译器、软件节能、信息安全等与硬件相关联的系统软件设计方法;软硬件协同设计方法研究。
-
南京大学
-
厦门大学
-
广东工业大学
-
北京交通大学
-
天津大学
-
华中科技大学
-
华中科技大学
-
复旦大学
-
北京航空航天大学
-
南京大学
-
西安理工大学
-
西安电子科技大学
-
厦门大学
-
西安交通大学
-
中南大学
-
天津理工大学
-
浙江大学
-
东北大学
-
武汉大学
-
西北工业大学
-
四川大学
-
中南大学
-
西南交通大学
-
中国人民大学
-
电子科技大学
-
山东大学
-
国防科技大学
-
天津大学
-
北京航空航天大学
-
北京建筑大学
-
东北大学
-
清华大学
-
东南大学
-
南京邮电大学
-
东南大学
-
哈尔滨工业大学
1.非线性光学及应用(受激布里渊散射(SBS)的规律与机制、SBS光学相位共轭、光纤中的SBS、激光时空特性控制、激光功率合成等);2.新型光电子技术与器件(激光脉冲控制器、光限幅器、光纤SBS器件、新概念激光器等);3.新激光介质光谱及激光机制研究(二聚物分子光谱、激光振荡及动力学过程等)。
-
上海交通大学
视觉系统标定、手眼式机器人辅助全膝关节置换手术系统、城市路网交通状态估计分析系统、弹性连接刚体三维建模和运动估计、连接刚体与人体运动分析、交通信息实时视频检测系统、城市路网交通监控系统、人脸建模与颜色变换。
-
上海交通大学
-
清华大学
-
高级
Control theory and applications, Robotics and automation, Neural networks and scientific computing, and Guidance and control of flight vehicles
-
清华大学
1、 微系统(SoC)芯片的新结构,主要包括:用于多媒体信息处理的可重构的数字系统结构,可重用芯核(IP),异步电路,模拟信号的并行处理; 2、 微系统芯片的综合与验证,主要包括:电路的分块与识别,互连线的延时与噪声模型,混合信号系统的建模与综合方法; 3、 模拟及混合信号系统设计
-
东南大学
混合和单片多层基片多层基片集成电路和天线;用于解决导波问题的新型场理论和设计模型;行波光电器件和加载光纤射频系统;高频智能材料的研究和应用;毫米波空间功率合成和准光技术的研究;多功能软件雷达和无线射频接收机的开发和应用等技术。
-
西南交通大学
-
吉林大学
-
吉林大学
探索微纳光子、光电子技术尤其是飞秒激光微纳制备技术在三维光子集成、纳米机械与纳米力学、微纳米光机电系统、微电材料器件的制备与系统检测等领域的应用;使用飞秒(10-15秒)超短激光脉冲,以单光子灵敏度在单分子尺度研究光与物质相互作用动力学,以及半导体和聚合物光电、微纳结构与器件的超快动力学。
-
东南大学
-
太原理工大学
-
南京航空航天大学
-
北京交通大学
-
上海大学
-
高级
-
河海大学
-
清华大学
-
中南大学
- 姓名:陈星弼
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
-
学术头衔:
博士生导师, 中国科学院院士
- 职称:-
-
学科领域:
微电子学
- 研究兴趣:
陈星弼,1952年毕业于同济大学,后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年在美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电气工程系客座教授,英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。
-
主页访问
3328
-
关注数
0
-
成果阅读
610
-
成果数
20
【期刊论文】Optimization of the Drift Region of Power MOSFET's with Lateral Structures and Deen
陈星弼, X.B CHEN, Z. Q. SONG. AND Z. J. JJ
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. VOL ED-34, NO.11, NOVEMBER 1987,-0001,():
-1年11月30日
The electric field profile in the drift region of power MOSFET's with lateral structures and deep junctions been found analytically. From the analysis, the best uniform surface doping den-sity and the depth of the drift region in offset-gate power Mosfet's that introduces the minimum seies resistance and sustains a given junction breakdown voltage is derived. Design guidelines for such MOSFET's are proposed. The comparison with computer simulation results bas shown that it is reasonable for some practical structures.
-
11浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
161下载
-
0评论
-
引用
陈星弼
,-0001,():
-1年11月30日
本文探讨了在一个方向是不均匀的媒质中应用镜像法求解恒定电场问题的可能性。得到一个描述镜像的二变量二防线性分方程。对于均匀媒质的情形。方程是常系数的。精合边界条件可以推演出计算电场或电位分布的所有镜象。对于不均匀媒质的情形。方程不是常系数的。这时虽然原则上可以用镜象法。但所需求解的议程和白电流连惯性(导体的电流场问题中)或电位通量连惯性(在电介质的静电电场问题中)缎带出的方程差不多同样复杂面难于计算。
-
14浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
107下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】小注入下晶体管Ic-VBE特性珠指数因子的研究*
陈星弼, CHEN XING-BI YI MING-GUANG
物理学报,1978,27(1):11~21,-0001,():
-1年11月30日
本文讨论了景点生活上注入下晶体管的IC-VBE特性的各种因素,作者发现发射结势区准费米能降落的影响对于解释实验中发现的n-d(Vas/Vr)/d in Tc<1的情况是重要的,文中也给出了精确测量集成晶体管对的n*值的差分方法。
-
46浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
84下载
-
0评论
-
引用
陈星弼
,-0001,():
-1年11月30日
作者山非平衡赴流子的座镇性方程出发,利用热导问题中的格林函数方法。证明了在记号变化的整流小于截止频率时通常电荷控制法的正确性。对于变化更快或要求描写更准确的情形。提出了可以引入一个准定态过程的概念。这时仍可近似地用通常的电荷法。为了推广电荷法,使其更准确,根据准定态概念导出了选用于化速度直到比截止频率高十倍的一个电荷法基本方程。找出了扩散管电荷参量与物理量及几何尺寸间的关系。把结论推广到截止区以及漂移管和二极管的情形。对二极管的计算,初步得到了实验结果的支持。
-
27浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
144下载
-
0评论
-
引用
陈星弼, Chen Xingbi, Li Zhaoji and Li Zhongmin
半导体学报,1989,10(6):463~466,-0001,():
-1年11月30日
求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解,它由若干项拉普斯议程的解和一项泊松方程的解组成,此解不象通常的圆柱对称解;在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配,计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用一个简单表示。
平面结、击穿电压、泊松方程、电场公布
-
32浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
98下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】关于半导体漂移三极管在包和区工作时的储存时间问题
陈星弼, CHEN SHIN-BI
物理学报,1959,15(7):354~367,-0001,():
-1年11月30日
半导体三极管在鲍和工作时,其等效电路可以用一极管及一个由集电极基极构成的二级管联成的电路表示出来,其中三极管在有源区工作,而二极管在正向温压下工作。这样的等效电路具有比较明显的物理意义。利用这个电路来求漂移管在一个共基电路中冲工作下的储存时间。解出非平衡少数流子的连惯性方程。求出二极管p-n结附近非平衡少数流于密度的稳定分量及态分量,从而得到决定储存时间的方程。计算结果表明,储存时间与基极区域集电区塸中非平衡流子的寿命及表面复合速度有关。减少寿命及增加表面复合速度就可以储存时间。
-
17浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
81下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】Theory of the Switching Response of CBMOST
陈星弼, CHEN Xingbi
Chinese Journal of Electronics Vol.10 No.1, Jan. 2001,-0001,():
-1年11月30日
A theory of the switching respinse of the CBMOST (OR COOLMOST, or Super Junction device) is proposed based on the physical nd geo-metracal parameters inherent in the voltage sustaining structure. It is proven that the salient feature of such a device is that the storage time in turn-off process is a little longe than the conventional power Most due to its heavier doping. Explanation for the fast turn-on Process DESPITE OF Having an oppositely doped region inside the voltage sustaining layer is also given. It is also shown that if p-(or n-) regions in the CB-sturcture are not directly contacted to the n+(or p+) drain region. Then device is a normally-on one. Measures are proposed for the real device to be not normally-on.
Compound buffer metal oxide semiconductor transistor (, CBMOST), ,, Cool metal ox-ide semiconductor transistor (, COOLMOST), ,, Super-Junction Device,, Turn-on,, Turn-off.,
-
92浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
59下载
-
0评论
-
引用
陈星弼, X.B.CHEN. B. ZHANG and Z.J. LI
Solid-State Electronics VOL.35, No.9.pp. 1365-1370. 1992,-0001,():
-1年11月30日
The effect of the reduction of the peak fild at the deges of reverse-biased p-n junctions by the resistive field pcale (RFP) and varation lateral doping (VLD) is explained with the surface charges induced by their structures. Analytical solutions of the field profile under the RFP and under the CLD were found. From which the optimujm doping profile of the VLD can also be found. The relations between the breakdown voltage and surface depletion width for these two structures are proposed. The realization of the optimum YLD by an approach using multiple multiple zones of the JTE IS to be satisfactory.
-
52浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
63下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】Optimum VLD makes SPIC Better and Cheaper
陈星弼, CHEN Xing-bi, FAN Xue-feng
,-0001,():
-1年11月30日
The novel structure for surface voltage sustaining region makes power (or high-voltage) devices capable to implement on conventional CMOS or BiCMOS ICs without demanding additional process. The electrical performances of this king of power devices are much better than made by BCD techniques. Different kind of devices using for both low-side and high-side can be made.
-
10浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
53下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】Optimum Doping Profile of Power MOSFET Epitaxial Layer
陈星弼, XING-BI CHEN AND CHENMING HU, MEMBER, IEEE
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. VOL. ED. 29. NO.6 JUNE 1982,-0001,():
-1年11月30日
The epitaxial layer resistance of a Mosfet can be slightly reduced by using an oprimum doping protile. Which exhibits a mini-mum in the upper half of the layer when the layer thickness is large compared to the cell-to-cell spacing. A gradual transition from the nepitaxial layer to the n+ subsuase is desirable. When conent spreading is significant. The resistance may rise ad V52 rather than Vb25.
-
44浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
60下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】Optimization of the Drift Region of Power MOSFET's with Lateral Structures and Deen
陈星弼, X.B CHEN, Z. Q. SONG. AND Z. J. JJ
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. VOL ED-34, NO.11, NOVEMBER 1987,-0001,():
-1年11月30日
The electric field profile in the drift region of power MOSFET's with lateral structures and deep junctions been found analytically. From the analysis, the best uniform surface doping den-sity and the depth of the drift region in offset-gate power Mosfet's that introduces the minimum seies resistance and sustains a given junction breakdown voltage is derived. Design guidelines for such MOSFET's are proposed. The comparison with computer simulation results bas shown that it is reasonable for some practical structures.
-
11浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
161下载
-
0评论
-
引用
陈星弼
,-0001,():
-1年11月30日
作者山非平衡赴流子的座镇性方程出发,利用热导问题中的格林函数方法。证明了在记号变化的整流小于截止频率时通常电荷控制法的正确性。对于变化更快或要求描写更准确的情形。提出了可以引入一个准定态过程的概念。这时仍可近似地用通常的电荷法。为了推广电荷法,使其更准确,根据准定态概念导出了选用于化速度直到比截止频率高十倍的一个电荷法基本方程。找出了扩散管电荷参量与物理量及几何尺寸间的关系。把结论推广到截止区以及漂移管和二极管的情形。对二极管的计算,初步得到了实验结果的支持。
-
27浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
144下载
-
0评论
-
引用
陈星弼
,-0001,():
-1年11月30日
本文探讨了在一个方向是不均匀的媒质中应用镜像法求解恒定电场问题的可能性。得到一个描述镜像的二变量二防线性分方程。对于均匀媒质的情形。方程是常系数的。精合边界条件可以推演出计算电场或电位分布的所有镜象。对于不均匀媒质的情形。方程不是常系数的。这时虽然原则上可以用镜象法。但所需求解的议程和白电流连惯性(导体的电流场问题中)或电位通量连惯性(在电介质的静电电场问题中)缎带出的方程差不多同样复杂面难于计算。
-
14浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
107下载
-
0评论
-
引用
陈星弼, Chen Xingbi, Li Zhaoji and Li Zhongmin
半导体学报,1989,10(6):463~466,-0001,():
-1年11月30日
求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解,它由若干项拉普斯议程的解和一项泊松方程的解组成,此解不象通常的圆柱对称解;在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配,计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用一个简单表示。
平面结、击穿电压、泊松方程、电场公布
-
32浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
98下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】小注入下晶体管Ic-VBE特性珠指数因子的研究*
陈星弼, CHEN XING-BI YI MING-GUANG
物理学报,1978,27(1):11~21,-0001,():
-1年11月30日
本文讨论了景点生活上注入下晶体管的IC-VBE特性的各种因素,作者发现发射结势区准费米能降落的影响对于解释实验中发现的n-d(Vas/Vr)/d in Tc<1的情况是重要的,文中也给出了精确测量集成晶体管对的n*值的差分方法。
-
46浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
84下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】关于半导体漂移三极管在包和区工作时的储存时间问题
陈星弼, CHEN SHIN-BI
物理学报,1959,15(7):354~367,-0001,():
-1年11月30日
半导体三极管在鲍和工作时,其等效电路可以用一极管及一个由集电极基极构成的二级管联成的电路表示出来,其中三极管在有源区工作,而二极管在正向温压下工作。这样的等效电路具有比较明显的物理意义。利用这个电路来求漂移管在一个共基电路中冲工作下的储存时间。解出非平衡少数流子的连惯性方程。求出二极管p-n结附近非平衡少数流于密度的稳定分量及态分量,从而得到决定储存时间的方程。计算结果表明,储存时间与基极区域集电区塸中非平衡流子的寿命及表面复合速度有关。减少寿命及增加表面复合速度就可以储存时间。
-
17浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
81下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】New "silicon limit" of power device
陈星弼, Xing-Bi Chen*, Hong-Qiang Yang, Min Cheng
Solid-State Electronies 46(2002)1185-1192,-0001,():
-1年11月30日
The hexagonal pattern of the voltage-sustaining layer in the COOLMOST with p-region in the center of cach unicell, which produces the lowest specific on-resistance, is studied based on a technologically achievable minimum aspec ratio of the width of each region to the thickness of the voltage-sustaining layer. A breakdown voltage higher than th previouw result is also achieved by breaking the requirement of the different peak fields to be equal. Futhermore, thdoping of the p-region near the drain is modified to get a better result It is believed that this is the new theoretica "Silicon Limit". The results show that a value Of Ron less than 1/3 of the previous one is obtained. Theoretical analysis given and shows in good agreement with the numerical simulation.
COOLMOST, Super-junction devices, CB-structure, On-resistance, Hexagonal cell
-
66浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
65下载
-
0评论
-
引用
陈星弼, X.B.CHEN. B. ZHANG and Z.J. LI
Solid-State Electronics VOL.35, No.9.pp. 1365-1370. 1992,-0001,():
-1年11月30日
The effect of the reduction of the peak fild at the deges of reverse-biased p-n junctions by the resistive field pcale (RFP) and varation lateral doping (VLD) is explained with the surface charges induced by their structures. Analytical solutions of the field profile under the RFP and under the CLD were found. From which the optimujm doping profile of the VLD can also be found. The relations between the breakdown voltage and surface depletion width for these two structures are proposed. The realization of the optimum YLD by an approach using multiple multiple zones of the JTE IS to be satisfactory.
-
52浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
63下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】Optimum Doping Profile of Power MOSFET Epitaxial Layer
陈星弼, XING-BI CHEN AND CHENMING HU, MEMBER, IEEE
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. VOL. ED. 29. NO.6 JUNE 1982,-0001,():
-1年11月30日
The epitaxial layer resistance of a Mosfet can be slightly reduced by using an oprimum doping protile. Which exhibits a mini-mum in the upper half of the layer when the layer thickness is large compared to the cell-to-cell spacing. A gradual transition from the nepitaxial layer to the n+ subsuase is desirable. When conent spreading is significant. The resistance may rise ad V52 rather than Vb25.
-
44浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
60下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】Optimization of the Specific On-Resistance of the COOLMOSTM
陈星弼, Xing-Bi Chen, Senior Member, IEEE and Johnny K.O.Sin, Senior Member. IEEE
IEEE TRASACDONS ON ELECTRON DEVICES VOL. 44, NO.2, FEURUARY 2001,-0001,():
-1年11月30日
The optimized values for the physical and ge-ometrical parameters of the p-and n-regions used in the voltage-sustaining layer of the COLMOSTM2 are presented. Design of the parameters aimed to produce the lowest specific on-resistance. Ron.for a given breakdown vnltage. Vp.A new relationship between the Ron and Vv for the COOLMOSTM IS developed as Ron=cv1.32, where the constant Cis dependent by putting a thin layer of insulator between the p-region and its neighboring n-regions, the value of Ron can be further reduced. The possibilry of incorporating the insulating layer may open up opportunities for practical implementation of the COOLMOSTM fof volume production.
Terms-Charge compensation,, COOLMOS,, on-resis-tance,, power transistor,, VDMOS
-
29浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
60下载
-
0评论
-
引用