陈星弼
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- 姓名:陈星弼
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学术头衔:
博士生导师, 中国科学院院士
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学科领域:
微电子学
- 研究兴趣:
陈星弼,1952年毕业于同济大学,后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年在美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电气工程系客座教授,英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。
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【期刊论文】Optimization of the Drift Region of Power MOSFET's with Lateral Structures and Deen
陈星弼, X.B CHEN, Z. Q. SONG. AND Z. J. JJ
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. VOL ED-34, NO.11, NOVEMBER 1987,-0001,():
-1年11月30日
The electric field profile in the drift region of power MOSFET's with lateral structures and deep junctions been found analytically. From the analysis, the best uniform surface doping den-sity and the depth of the drift region in offset-gate power Mosfet's that introduces the minimum seies resistance and sustains a given junction breakdown voltage is derived. Design guidelines for such MOSFET's are proposed. The comparison with computer simulation results bas shown that it is reasonable for some practical structures.
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陈星弼
,-0001,():
-1年11月30日
本文探讨了在一个方向是不均匀的媒质中应用镜像法求解恒定电场问题的可能性。得到一个描述镜像的二变量二防线性分方程。对于均匀媒质的情形。方程是常系数的。精合边界条件可以推演出计算电场或电位分布的所有镜象。对于不均匀媒质的情形。方程不是常系数的。这时虽然原则上可以用镜象法。但所需求解的议程和白电流连惯性(导体的电流场问题中)或电位通量连惯性(在电介质的静电电场问题中)缎带出的方程差不多同样复杂面难于计算。
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【期刊论文】小注入下晶体管Ic-VBE特性珠指数因子的研究*
陈星弼, CHEN XING-BI YI MING-GUANG
物理学报,1978,27(1):11~21,-0001,():
-1年11月30日
本文讨论了景点生活上注入下晶体管的IC-VBE特性的各种因素,作者发现发射结势区准费米能降落的影响对于解释实验中发现的n-d(Vas/Vr)/d in Tc<1的情况是重要的,文中也给出了精确测量集成晶体管对的n*值的差分方法。
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陈星弼
,-0001,():
-1年11月30日
作者山非平衡赴流子的座镇性方程出发,利用热导问题中的格林函数方法。证明了在记号变化的整流小于截止频率时通常电荷控制法的正确性。对于变化更快或要求描写更准确的情形。提出了可以引入一个准定态过程的概念。这时仍可近似地用通常的电荷法。为了推广电荷法,使其更准确,根据准定态概念导出了选用于化速度直到比截止频率高十倍的一个电荷法基本方程。找出了扩散管电荷参量与物理量及几何尺寸间的关系。把结论推广到截止区以及漂移管和二极管的情形。对二极管的计算,初步得到了实验结果的支持。
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陈星弼, Chen Xingbi, Li Zhaoji and Li Zhongmin
半导体学报,1989,10(6):463~466,-0001,():
-1年11月30日
求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解,它由若干项拉普斯议程的解和一项泊松方程的解组成,此解不象通常的圆柱对称解;在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配,计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用一个简单表示。
平面结、击穿电压、泊松方程、电场公布
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【期刊论文】关于半导体漂移三极管在包和区工作时的储存时间问题
陈星弼, CHEN SHIN-BI
物理学报,1959,15(7):354~367,-0001,():
-1年11月30日
半导体三极管在鲍和工作时,其等效电路可以用一极管及一个由集电极基极构成的二级管联成的电路表示出来,其中三极管在有源区工作,而二极管在正向温压下工作。这样的等效电路具有比较明显的物理意义。利用这个电路来求漂移管在一个共基电路中冲工作下的储存时间。解出非平衡少数流子的连惯性方程。求出二极管p-n结附近非平衡少数流于密度的稳定分量及态分量,从而得到决定储存时间的方程。计算结果表明,储存时间与基极区域集电区塸中非平衡流子的寿命及表面复合速度有关。减少寿命及增加表面复合速度就可以储存时间。
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【期刊论文】Theory of the Switching Response of CBMOST
陈星弼, CHEN Xingbi
Chinese Journal of Electronics Vol.10 No.1, Jan. 2001,-0001,():
-1年11月30日
A theory of the switching respinse of the CBMOST (OR COOLMOST, or Super Junction device) is proposed based on the physical nd geo-metracal parameters inherent in the voltage sustaining structure. It is proven that the salient feature of such a device is that the storage time in turn-off process is a little longe than the conventional power Most due to its heavier doping. Explanation for the fast turn-on Process DESPITE OF Having an oppositely doped region inside the voltage sustaining layer is also given. It is also shown that if p-(or n-) regions in the CB-sturcture are not directly contacted to the n+(or p+) drain region. Then device is a normally-on one. Measures are proposed for the real device to be not normally-on.
Compound buffer metal oxide semiconductor transistor (, CBMOST), ,, Cool metal ox-ide semiconductor transistor (, COOLMOST), ,, Super-Junction Device,, Turn-on,, Turn-off.,
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陈星弼, X.B.CHEN. B. ZHANG and Z.J. LI
Solid-State Electronics VOL.35, No.9.pp. 1365-1370. 1992,-0001,():
-1年11月30日
The effect of the reduction of the peak fild at the deges of reverse-biased p-n junctions by the resistive field pcale (RFP) and varation lateral doping (VLD) is explained with the surface charges induced by their structures. Analytical solutions of the field profile under the RFP and under the CLD were found. From which the optimujm doping profile of the VLD can also be found. The relations between the breakdown voltage and surface depletion width for these two structures are proposed. The realization of the optimum YLD by an approach using multiple multiple zones of the JTE IS to be satisfactory.
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【期刊论文】Optimum VLD makes SPIC Better and Cheaper
陈星弼, CHEN Xing-bi, FAN Xue-feng
,-0001,():
-1年11月30日
The novel structure for surface voltage sustaining region makes power (or high-voltage) devices capable to implement on conventional CMOS or BiCMOS ICs without demanding additional process. The electrical performances of this king of power devices are much better than made by BCD techniques. Different kind of devices using for both low-side and high-side can be made.
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【期刊论文】Optimum Doping Profile of Power MOSFET Epitaxial Layer
陈星弼, XING-BI CHEN AND CHENMING HU, MEMBER, IEEE
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. VOL. ED. 29. NO.6 JUNE 1982,-0001,():
-1年11月30日
The epitaxial layer resistance of a Mosfet can be slightly reduced by using an oprimum doping protile. Which exhibits a mini-mum in the upper half of the layer when the layer thickness is large compared to the cell-to-cell spacing. A gradual transition from the nepitaxial layer to the n+ subsuase is desirable. When conent spreading is significant. The resistance may rise ad V52 rather than Vb25.
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